Метрология Нанометрология Nanometrology Нанометр

19 г. Intel официально представила свои первые массовые 10-нанометровые процессоры – чипы Ice Lake на базе новой архитектуры Sunny Cove, предназначенные для мобильных устройств. Пока Intel «покоряла» 10 нанометров и осуществляла реорганизацию производственного подразделения, его главный конкурент – компания AMD – успешно освоила нормы техпроцесса 7 нм. В марте 2021 г. Intel анонсировала нов

6 (Gig+), обеспечивающего скорость передачи данных до 1,7 Гбит/сек. Трудности Intel с «покорением» 10 нанометров Intel многократно откладывал начало массового производства процессоров по 10-на

о с комплексом 3D-поверхностей" ученые представили в марте 2009 года, а недавно они опубликовали отчет о первой успешной операции по сортировке сферических наночастиц различных размеров (от 80 до 250 нанометров в диаметре), диспергированных в растворе. Принцип работы устройства следующий: с помощью электрофореза (перемещения заряженных частиц через раствор с помощью электрического поля) нан

олюционной методики, использующей миниатюрный кремниевый щуп с острым наконечником-иглой длиной 500 нанометров и толщиной кончика всего несколько нанометров, для создания шаблонов изобра

«Российская корпорация нанотехнологий» («Роснано») и томская компания «Элекард» создадут производство электронных устройств на основе мультимедийных процессоров по технологическим нормам 90-65 нанометров. Проект способствует поставленной Президентом России цели обеспечения по всей стране доступа к цифровому телевидению в течение ближайших 5 лет и нацелен на организацию продаж оборудо

Наблюдательный совет РОСНАНО одобрил участие корпорации в проекте по созданию отечественного производства сверхбольших интегральных схем на основе наноэлектронной технологии с проектными нормами 90 нанометров. Конечными продуктами проекта станут российские чипы для смарт-карт, используемых в электронных загранпаспортах, водительских удостоверениях и свидетельствах о регистрации транспортн

т 10 до 50 нанометров. На золотое нанопокрытие сверху было нанесено еще одно – полимерное, толщиной 10 нанометров. Полученный электрод в итоге получился 100 нанометров в диаметре и длиной около

крона, что составляет менее половины площади аналогичной микросхемы, изготовленной по технологии 65 нанометров. Не являясь серийным образцом, она демонстрирует эффективность технологии, работос

ные методы получения нановолокон на основе кремния позволяют достигать значений их диаметра около 3-5 нанометров. В то же время, согласно теоретическим моделям, квантовомеханические эффекты в н

ные методы получения нановолокон на основе кремния позволяют достигать значений их диаметра около 3-5 нанометров. В то же время, согласно теоретическим моделям, квантовомеханические эффекты в н