Электроника Фотолитография Extreme Ultraviolet Lithography, EUV, EUVL FinFet EUV-литография Deep Ultraviolet, DUV Фотолитография в глубоком ультрафиолете Optical Proximity Correction Коррекция оптической близости

Ученые МФТИ создали отечественный литограф для создания 3D-объектов с размерами элементов 150 нм и разрешением 350 нм. Разработанный литограф дешевле аналогичных иностранных приборов и не имеет коммерческих аналогов в Ро

одства Китай делает значительный шаг вперед в разработке технологий экстремальной ультрафиолетовой (EUV) литографии, которая долгое время оставалась прерогативой нидерландской компании ASML. Ка

го института науки и технологий (Okinawa Institute of Science and Technology, OIST, Япония) создали EUV-сканер особой конструкции, в которой гораздо меньше компонентов, недели в сканерах нидерл

инственный в мире производитель машин для литографии с использованием экстремального ультрафиолета (EUV). Такое оборудование применяется для выпуска чипов по современным техпроцессам. Этот «руб

раничения. Как отмечает Bloomberg, ASML также не смогла получить лицензии на поставку в Китай своих EUV-сканеров (EUV – экстремальная ультрафиолетовая литография). В необходимости ограни

рафию с использованием глубокого или экстремального ультрафиолета (Deep, Extreme ultraviolet – DUV, EUV), то новое творение Canon обходится вовсе без фотолитографии. Японцы отдали предпочтение

я плазмохимического травления кремния пригодится на втором. Фото: Laura Ockel / Unsplash Российская литография стала немного более современной Вторая установка использует в своей работе созданн

зе литографии так называемого глубокого ультрафиолетового спектра (Extreme Ultraviolet Lithography, EUV). Одновременно компания анонсировала планы по выпуску первых чипов по техпроцессу N5 с но

тнее сотрудничество в сфере литографии, включив в него процесс на основе литографической технологии EUV (фотолитография в глубоком ультрафиолете). Этот процесс будет использоваться для производ

Новый источник излучения для использования в системах литографии в дальнем ультрафиолете (Extreme UltraViolet Lithography, EUVL), разработан в университете штата Калифорния в г. Сан-Д

рференционной литографии обеспечила "нанолинейка", созданная двумя студентами MIT. Студенты использовали генератор акустических волн с частотой 100 МГц для управления лазерным излучением, формирующим литографический рисунок на поверхности кремниевой подложки, при этом система позволяла отклонять лазерный луч и менять частоту излучения при помощи нового алгоритма высокоточного определения фа

обного рабочего образца микросхемы, в которой первый слой металлических соединений создан с помощью EUV-литографии (литографии с использованием жесткого ультрафиолетового излучения). Предыдущие

обного рабочего образца микросхемы, в которой первый слой металлических соединений создан с помощью EUV-литографии (литографии с использованием жесткого ультрафиолетового излучения). Предыдущие

л Ник Кеплер (Nick Kepler), вице-президент по разработке технологий логики AMD. — Иммерсионная литография позволит нам обеспечить более четкое проектирование и большую стабильность парамет

л Ник Кеплер (Nick Kepler), вице-президент по разработке технологий логики AMD. — Иммерсионная литография позволит нам обеспечить более четкое проектирование и большую стабильность парамет

; так называемой литографии с использованием мягкого рентгеновского излучения (extreme ultraviolet, EUV). На смену привычным лазерам и линзовой оптике должны были прийти куда более экзотические

; так называемой литографии с использованием мягкого рентгеновского излучения (extreme ultraviolet, EUV). На смену привычным лазерам и линзовой оптике должны были прийти куда более экзотические

Аппарат EUV Micro Exposure Tool (MET) и установка пилотной производственной линии по нанесению EUV

Аппарат EUV Micro Exposure Tool (MET) и установка пилотной производственной линии по нанесению EUV

оявления оборудования следующего поколения, названного вакуумный ультрафиолет (Extreme Ultraviolet, EUV). Устройства EUV, позволяющие получать более тонкие проводники, чем технология 157

ивело к тому, что количество транзисторов на единице площади микросхемы удваивалось примерно каждые два года, однако к 2007 году, как утверждают специалисты, будет достигнут физический предел. Проект EUVL позволит развернуть как раз к этому году массовое серийное производство микроэлектронных устройств по новой технологии, использующей излучение с длиной волны в десять раз меньше, чем в сов

ивело к тому, что количество транзисторов на единице площади микросхемы удваивалось примерно каждые два года, однако к 2007 году, как утверждают специалисты, будет достигнут физический предел. Проект EUVL позволит развернуть как раз к этому году массовое серийное производство микроэлектронных устройств по новой технологии, использующей излучение с длиной волны в десять раз меньше, чем в сов

0 000 нанометров. Фотомаски предназначены для технологии с использованием "крайнего ультрафиолета" (EUV - Extreme UltraViolet) - фотолитографии с уменьшенной длиной световой волны. Появление но

0 000 нанометров. Фотомаски предназначены для технологии с использованием "крайнего ультрафиолета" (EUV - Extreme UltraViolet) - фотолитографии с уменьшенной длиной световой волны. Появление но

Extreme Ultra Violet LLC (EUV), коалиция национальных лабораторий США, таких как Lawrence Livermore National Laboratories и Sandia National Laboratories, а также крупнейших производителей чипов, таких как Intel, AMD и т

Германская Infineon Technologies стала первым европейским членом консорциума EUV LLC (Extreme Ultraviolet Limited Liability Corporation). Консорциум был основан в 1997 году компаниями Intel, Motorola и AMD и занимается совместными разработками в области применения преде