14 Декабря 2006 20:12 14 Дек 2006 20:12 |

Поделиться

Иммерсионная литография: AMD и IBM берут барьер 45 нм

Вчера на Международной конференции по электронным устройствам (International Electron Device Meeting, IEDM) компании IBM и AMD представили доклад, в котором описывается применение методов иммерсионной литографии, диэлектриков с малым значением диэлектрической постоянной и усовершенствованных технологий предварительно напряженных транзисторов для конструирования микропроцессоров по 45-нм техпроцессу. AMD и IBM полагают, что первые изделия по 45-нм технологии с использованием иммерсионной литографии и сверхэффективных межсоединяющих диэлектриков появятся в продаже к середине 2008 г.

«AMD и IBM стали первыми производителями микропроцессоров, объявившими о внедрении метода иммерсионной литографии и диэлектриков с малым значением диэлектрической постоянной в 45-нм технологическом процессе, продолжая задавать темп в области микропроцессорной технологии, — заявил Ник Кеплер (Nick Kepler), вице-президент по разработке технологий логики AMD. — Иммерсионная литография позволит нам обеспечить более четкое проектирование и большую стабильность параметров продукции на этапе производства»

Сегодня в производстве процессоров используется обычная литография, однако ее использование после рубежа 65 нм значительно осложняется. В иммерсионной литографии используется прозрачная жидкость — пространство между проекционными линзами системы литографии и полупроводниковой пластиной заполняется жидкостью с высоким коэффициентом преломления.

Это позволяет повысить глубину фокуса и разрешающую способность проецирующей системы, что, в свою очередь, позволяет обеспечить более высокие характеристики полупроводниковых микросхем, а также снизить потери при производстве. Применение иммерсионного метода тем самым дает AMD и IBM конкурентное преимущество — другие производители еще не смогли освоить иммерсионный процесс при производстве по 45-нм технологии. Например, производительность ячейки статической памяти с произвольной выборкой (SRAM) возросла примерно на 15% благодаря данному усовершенствованному процессу, без необходимости обращаться к более дорогим методам двойного экспонирования.

Другая мера — использование пористых диэлектриков для снижения паразитных емкостей и задержек — важный шаг на пути к дальнейшему повышению производительности процессоров и снижению рассеиваемой мощности. При использовании диэлектриков с малым значением диэлектрической постоянной достигается дополнительное снижение паразитных задержек на 15% по сравнению с обычными диэлектриками.

Полностью избавиться от зависимости от иностранного ПО до сих пор не удалось

импортонезависимость

Технологии использования предварительно напряженных («растянутых») транзисторов позволили продолжить рост их производительности. Несмотря на возрастающую плотность размещения транзисторов при 45-нм процессе, разработчикам удалось на 80% увеличить силу управляющего тока в транзисторах p-типа и на 24% — в транзисторах n-типа по сравнению с «ненапряженными» транзисторами.

IBM и AMD совместно разрабатывают технологии полупроводникового производства следующего поколения начиная с января 2003 г. В ноябре 2005 г. компании объявили о продлении совместных опытно-конструкторских работ до 2011 г. В этот период планируется разработать технологические процессы серийного производства по 32-нм и 22-нм технологиям.

Поделиться

Подписаться на новости Короткая ссылка