Электроника Фотолитография Extreme Ultraviolet Lithography, EUV, EUVL FinFet EUV-литография Фотолитография в глубоком ультрафиолете вид фотолитографии в наноэлектронике Optical Proximity Correction Коррекция оптической близости

го института науки и технологий (Okinawa Institute of Science and Technology, OIST, Япония) создали EUV-сканер особой конструкции, в которой гораздо меньше компонентов, недели в сканерах нидерл

раничения. Как отмечает Bloomberg, ASML также не смогла получить лицензии на поставку в Китай своих EUV-сканеров (EUV – экстремальная ультрафиолетовая литография). В необходимости ограни

рафию с использованием глубокого или экстремального ультрафиолета (Deep, Extreme ultraviolet – DUV, EUV), то новое творение Canon обходится вовсе без фотолитографии. Японцы отдали предпочтение

я плазмохимического травления кремния пригодится на втором. Фото: Laura Ockel / Unsplash Российская литография стала немного более современной Вторая установка использует в своей работе созданн

зе литографии так называемого глубокого ультрафиолетового спектра (Extreme Ultraviolet Lithography, EUV). Одновременно компания анонсировала планы по выпуску первых чипов по техпроцессу N5 с но

тнее сотрудничество в сфере литографии, включив в него процесс на основе литографической технологии EUV (фотолитография в глубоком ультрафиолете). Этот процесс будет использоваться для производ

рференционной литографии обеспечила "нанолинейка", созданная двумя студентами MIT. Студенты использовали генератор акустических волн с частотой 100 МГц для управления лазерным излучением, формирующим литографический рисунок на поверхности кремниевой подложки, при этом система позволяла отклонять лазерный луч и менять частоту излучения при помощи нового алгоритма высокоточного определения фа

обного рабочего образца микросхемы, в которой первый слой металлических соединений создан с помощью EUV-литографии (литографии с использованием жесткого ультрафиолетового излучения). Предыдущие

обного рабочего образца микросхемы, в которой первый слой металлических соединений создан с помощью EUV-литографии (литографии с использованием жесткого ультрафиолетового излучения). Предыдущие

л Ник Кеплер (Nick Kepler), вице-президент по разработке технологий логики AMD. — Иммерсионная литография позволит нам обеспечить более четкое проектирование и большую стабильность парамет

л Ник Кеплер (Nick Kepler), вице-президент по разработке технологий логики AMD. — Иммерсионная литография позволит нам обеспечить более четкое проектирование и большую стабильность парамет

мости перехода к радикально новому и радикально более дорогому, а также мало изученному методу — так называемой литографии с использованием мягкого рентгеновского излучения (extreme ultraviolet, EUV). На смену привычным лазерам и линзовой оптике должны были прийти куда более экзотические элементы. В попытке исследовать перспективы оптической литографии, IBM создала самый совершенный на

мости перехода к радикально новому и радикально более дорогому, а также мало изученному методу — так называемой литографии с использованием мягкого рентгеновского излучения (extreme ultraviolet, EUV). На смену привычным лазерам и линзовой оптике должны были прийти куда более экзотические элементы. В попытке исследовать перспективы оптической литографии, IBM создала самый совершенный на

Аппарат EUV Micro Exposure Tool (MET) и установка пилотной производственной линии по нанесению EUV

Аппарат EUV Micro Exposure Tool (MET) и установка пилотной производственной линии по нанесению EUV

оявления оборудования следующего поколения, названного вакуумный ультрафиолет (Extreme Ultraviolet, EUV). Устройства EUV, позволяющие получать более тонкие проводники, чем технология 157

Extreme Ultra Violet LLC (EUV), коалиция национальных лабораторий США, таких как Lawrence Livermore National Laboratories и Sandia National Laboratories, а также крупнейших производителей чипов, таких как Intel, AMD и т

Германская Infineon Technologies стала первым европейским членом консорциума EUV LLC (Extreme Ultraviolet Limited Liability Corporation). Консорциум был основан в 1997 году компаниями Intel, Motorola и AMD и занимается совместными разработками в области применения преде