Получите все материалы CNews по ключевому слову
SRAM static RAM Static Random Access Memory Статическая память с произвольным доступом
18.12.2008 |
Toshiba, IBM и AMD приблизились к 22-нм технологии еще на шаг
и AMD разработали элемент статической памяти с произвольной выборкой (Static Random Access Memory – SRAM), площадь которого составляет всего 0,128 кв. мкм. Новый элемент более чем на 50% меньше |
|
19.08.2008 |
Разработана первая в мире 22-нм память
Компания IBM в содружестве с AMD, Freescale, STMicroelecronics и Toshiba разработала первую в мире статическую память со случайным доступом (SRAM) на базе 22-нм технологического процесса. Микросхемы были выпущены на стандартной подложке диаметром 300 мм в исследовательской лаборатории IBM в Албани, штат Нью-Йорк. Ячейки памяти имеют |
|
13.12.2006 |
Intel ищет альтернативу SRAM для кэша процессоров
ия этого эффекта работают также Toshiba, Innovative Silicon и Renesas. Однако, в отличие от них, Intel намерена использовать эту технологию в качестве кэш-памяти для своих будущих процессоров вместо SRAM, которая имеет недостаточную по сегодняшним меркам плотность. В то же время, альтернативная ей технология eDRAM хоть и имеет большую плотность, отличается более низкой скоростью работы, да |
|
23.06.2004 |
Renesas создал "безошибочную" SRAM
Корпорация Renesas Technology объявила о создании первой в индустрии SRAM памяти практически на допускающей случайных сбоев. Память была названа superSRAM, Она пр |
|
30.05.2003 |
iSuppli: Рынок SRAM - есть победители и проигравшие
Исследовательская компания iSuppli опубликовала отчет о рынке памяти SRAM в первом квартале. Основной вывод - различная динамика на рынках телекоммуникационного и компьютерного оборудования привела к тому, что поставщики рынка телекома заработали на памяти значи |
|
29.01.2003 |
Samsung Electronics представил самую быструю память DDR3 SRAM
Samsung Electronics представил 29 января разработку, являющуюся, по словам представителей компании, самой быстрой DDR3 SRAM в мире. Согласно сообщению разработчиков, 72 -мегабитный чип использует 90-нанометровые техпроцессы и работает на 1,5 Гб/сек при потребляемом напряжении 1,2 В. Создание ячейки размером мен |
|
29.01.2003 |
Samsung Electronics представил самую быструю память DDR3 SRAM
Samsung Electronics представил 29 января разработку, являющуюся, по словам представителей компании, самой быстрой DDR3 SRAM в мире. Согласно сообщению разработчиков, 72 -мегабитный чип использует 90-нанометровые техпроцессы и работает на 1,5 Гб/сек при потребляемом напряжении 1,2 В. Создание ячейки размером мен |
|
15.07.2002 |
Samsung нацелился на выпуск флэш-памяти и SRAM
При возросшем спросе на флэш-память, SRAM и DDR SDRAM компания Samsung Electronics решила перевести 6 и 7 производственные линии DRAM на производство флэш-памяти, SRAM и систем LSI. Samsung планирует потратить $180 млн. на |
|
25.06.2002 |
Infineon и Micron разрабатывают новый тип памяти для мобильных устройств
я использовать в мобильных устройствах 2,5 и 3 поколения. Разрекламированная как "новый тип" псевдо-SRAM устройств высокой емкости, новая память построена на базе однотранзисторной ячейки DRAM |
|
09.04.2002 |
Samsung Electronics разработала микроcхему SRAM-памяти для беспроводной связи
кая компания Samsung Electronics Co., Ltd. сообщила о разработке высокоскоростной микросхемы памяти SRAM с низким энергопотреблением. Чип может быть использован для устройств с мобильной связью |
|
12.03.2002 |
Intel создала ячейку памяти SRAM площадью 1 мкм2
огии будет производиться исключительно на 300-миллиметровых подложках. Исследователи корпорации Intel создали 52-мегабитные микросхемы - самые емкие из когда-либо созданных микросхем памяти стандарта SRAM, в каждой из которых содержится по 330 млн. транзисторов, при этом площадь микросхемы составляет всего 109 мм2 (меньше, чем у десятицентовой монеты). Новые 52-мегабитные микросхемы памяти |
|
12.03.2002 |
Intel создала ячейку памяти SRAM площадью 1 мкм2
огии будет производиться исключительно на 300-миллиметровых подложках. Исследователи корпорации Intel создали 52-мегабитные микросхемы - самые емкие из когда-либо созданных микросхем памяти стандарта SRAM, в каждой из которых содержится по 330 млн. транзисторов, при этом площадь микросхемы составляет всего 109 мм2 (меньше, чем у десятицентовой монеты). Новые 52-мегабитные микросхемы памяти |
|
12.03.2002 |
Intel создала самую маленькую ячейку памяти SRAM
Исследователям из корпорации Intel удалось создать самую маленькую в мире ячейку памяти стандарта SRAM (Static Random Access Memory, или статическое запоминающее устройство с произвольной выб |
|
28.12.2001 |
Toshiba заключила сделку по контрактному производству своей продукции на китайской фабрике
miconductor Manufacturing International Corp. (SMIC), предметом которого стали условия производства SRAM-памяти для японской компании на мощностях, принадлежащих SMIC. SMIC использовала техноло |
|
14.11.2001 |
Samsung разработала QDR SDRAM
Корейская компания Samsung заявила о разработке QDR (Quad Data Rate) SRAM-чипов, которые работают в четыре раза быстрее, чем современные SRAM-чипы. Компани |
|
13.08.2001 |
Samsung разработала самый миниатюрный модуль SRAM-памяти для мобильных телефонов
Компания Samsung cообщила о разработке самой маленькой в мире микросхемы SRAM-памяти емкостью 8 Мб для мобильных телефонов. Samsung объявила, что габариты микросхемы на 30% меньше ныне существующих чипов той же емкости. Модуль предназначен для использования в первую |
|
12.01.2001 |
VIA лицензировала разработанную MoSys технологию памяти 1T-SRAM
A Technologies, Inc. объявили о том, что VIA лицензировала разработанную MoSys технологию памяти 1T-SRAM для реализации сверхвысокопроизводительной SRAM в своих перспективных интегральны |
|
26.12.2000 |
Samsung анонсировала новый модуль памяти для сотовых телефонов
анонсировала модуль памяти, в котором объединены микросхемы 64 Мбит флэш-памяти NAND-типа и 8 Мбит SRAM-памяти CMOS-типа, сообщила Electronic News. Модуль предназначен для использования в сото |
|
16.10.2000 |
Компания Cypress начала использовать новые лазерные технологии для производства чипов SRAM
Компания Cypress Semiconductor Corp. заявила о начале использования лазерного оборудования фирмы LaserLink Technology LLC для производства интегральных микросхем, в том числе для чипов памяти SRAM. Оборудование от LaserLink Technology LLC может быть использовано как для формирования межэлементных связей в CMOS структурах чипов, так и для изменения самих этих структур при создании сп |
|
12.10.2000 |
Samsung начала производство 8 Мбит чипов SRAM
Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства 8 Mбит чипов памяти SRAM. Главными потребителями чипов, по словам представителей Samsung Electronics, станут компании Motorola, Nokia и Ericsson - производители мобильных телефонов стандарта IMT-2000 третьего поко |
|
06.09.2000 |
Micron представила образцы памяти QDR SRAM
мпания Micron Technology, Inc. представила работоспособные образцы памяти типа Quad Data Rate (QDR) SRAM. Устройства представляют собой модули емкостью 8 Мбит, организованные в порядке 512К х 1 |
|
08.08.2000 |
Cypress Semiconductor представила 0,15-микронную технологию для выпуска микросхем памяти SRAM
Компания Cypress Semiconductor представила новый 0,15-микронный RAM7 процесс для выпуска микросхем памяти SRAM. По словам Cypress, новая технология позволяет получать самые маленькие в индустрии кристаллы 8Мбит SRAM. Одна ячейка такой памяти занимает площадь 2,9 кв. микрона, а кристалл целик |
|
07.07.2000 |
Специалисты IBM разработали чип SRAM, работающий на частоте более 2 ГГц
Компания IBM сообщила о своей новейшей разработке - чипе памяти SRAM (static random access memory), который может работать на тактовой частоте более 2 ГГц. Н |
|
15.05.2000 |
UMC представила микросхемы SRAM, произведённые по 0,13 микронной "медной" технологии
Тайваньская United Microelectronics Corp. (UMC) представила новый чип SRAM, выполненный по "медной" технологии. Чип имеет ёмкость 2 Мбит и выполнен по 0,13 микронной технологии Worldlogic, обеспечивающей полностью медные межсоединения. Опытное производство таких |
|
12.05.2000 |
TSMC и Etron Technology разработали низковольтные микросхемы SRAM
Etron Technology Inc. разработала микросхему 8 Мбит LP SRAM (low power SRAM), которая базируется на 0,15 микронной технологии компании Taiwan |
|
14.03.2000 |
Hyundai начала выпуск новой серии SRAM-памяти для портативных устройств
Компания Hyundai Electronics начала выпуск новой серии 4МБ чипов SRAM для использования в портативных "карманных" устройствах. Новые чипы, выполнены по 0,25 микронной технологии и имеют малые размеры. Выпускаются чипы на напряжение питания 1,8; 2,5 и 3,0 В. |
SRAM и организации, системы, технологии, персоны:
DigiTimes - Издание 1315 11 |
Tom’s Hardware 432 5 |
EE Times 158 4 |
Electronic News 60 3 |
TechCrunch - TechCrunch Distrupt - TechCrunch Awards 1224 2 |
TG Daily 98 2 |
Nature 814 2 |
PhysicsWeb 180 2 |
Computer Weekly 375 2 |
The Register - The Register Hardware 1598 2 |
Nikkei Microdevices 17 2 |
ZDnet 660 1 |
Nikkei - Nihon Keizai Shimbun 527 1 |
Maeil Business Newspaper 79 1 |
IDG - International Data Group 115 1 |
PCWorld - PC World 45 1 |
Nikkei BP - Nikkei Business Publications - Nikkei Business Daily 91 1 |
Korea Herald 44 1 |
Rambler - Lenta.ru - Лента.ру - онлайн-издание 114 1 |
Times 629 1 |
NE Asia Online 313 1 |
InterNetNews - InternetNews.com 218 1 |
cw360 84 1 |
Nature Electronics 4 1 |
WCCFTech - Издание 65 1 |
Silicon.com 364 1 |
HPC.ru 117 1 |
TechnologyAdvice - eWeek 230 1 |
TechSpot 136 1 |
Igor’s Lab 7 1 |
Nikkei Mechanical 4 1 |
Обработан архив публикаций портала CNews.ru c 11.1998 до 05.2025 годы.
Ключевых фраз выявлено - 1358082, в очереди разбора - 757434.
Создано именных указателей - 174283.
Редакция Индексной книги CNews - book@cnews.ru
Читатели CNews — это руководители и сотрудники одной из самых успешных отраслей российской экономики: индустрии информационных технологий. Ядро аудитории составляют топ-менеджеры и технические специалисты департаментов информатизации федеральных и региональных органов государственной власти, банков, промышленных компаний, розничных сетей, а также руководители и сотрудники компаний-поставщиков информационных технологий и услуг связи.