Поделиться
Toshiba, IBM и AMD приблизились к 22-нм технологии еще на шаг
Компании Toshiba, IBM и AMD разработали элемент статической памяти с произвольной выборкой (Static Random Access Memory – SRAM), площадь которого составляет всего 0,128 кв. мкм. Новый элемент более чем на 50% меньше своего предыдущего аналога, площадь которого составляла 0,274 кв. мкм, и является самым миниатюрным из когда-либо созданных, сообщается в пресс-релизе.
Ячейка разработана по полупроводниковой технологии High-K/Metal Gate («изолирующий слой с высокой диэлектрической проницаемостью/металлический затвор») и обладает рядом преимуществ перед элементами на базе планарных полевых транзисторов – с точки зрения перспектив их применения в электронных устройствах будущих поколений. Дело в том, что производители микросхем при создании элементов SRAM с использованием обычных планарных транзисторов, как правило, корректируют свойства материалов путем добавления различных примесей или присадок. Данная методика ухудшает стабильность работы SRAM. Этот эффект становится особо критичным при применении 22-нм (и ниже) норм технологического процесса изготовления чипов. Использование FinFET-транзисторов является альтернативным подходом, позволяющим добиться уменьшения площади элементов памяти с минимальным изменением характеристик.
Ячейка SRAM-памяти площадью 0,128 кв. мкм (обведена пунктиром)
Микромодули SRAM являются элементами большинства крупномасштабных интегральных схем системного уровня, таких как микропроцессоры. Более миниатюрные элементы SRAM могут способствовать появлению меньших по размеру и более быстрых процессоров, которые, к тому же, потребляют меньше энергии. Новая инновационная технология FinFET является важным шагом к созданию более мощных и малогабаритных электронных устройств.
Короткая ссылка
