Разделы

Телеком

Samsung анонсировала новый модуль памяти для сотовых телефонов

Компания Samsung Electronics Corp. анонсировала модуль памяти, в котором объединены микросхемы 64 Мбит флэш-памяти NAND-типа и 8 Мбит SRAM-памяти CMOS-типа, сообщила Electronic News. Модуль предназначен для использования в сотовых телефонах.

Первые образцы этих модулей уже отправлены для испытаний производителям. Samsung надеется, что новый модуль будет стандартом для мобильных телефонов 3-го поколения, поскольку имеет расширенный объем памяти и имеет меньшие габаритные размеры (8 мм х 13 мм х 1,2 мм). Микросхема SRAM-памяти осуществляет функции оперативной памяти, а флэш-память сохраняет данные. Samsung рассчитывает вскоре увеличить объем NAND-памяти до 128 и 256 Мбит. В продаже новые модули появятся в первом квартале 2001 г.