MRAM Magnetic Random Access Memory eMRAM Magnetoresistive random-access memory Энергонезависимая магниторезистивная память с произвольным доступом
14.03.2019 |
Samsung начинает поставки eMRAM на базе техпроцесса FD-SOI 28 нм
первой встраиваемой магниторезистивной оперативной памяти (embedded magnetic random access memory, eMRAM) на базе 28-нм технологического процесса FD-SOI (fully-depleted silicon-on-insulator – |
|
17.05.2011 |
В России построят завод по выпуску магниторезистивной памяти
«Роснано» и французская компания Crocus Technology объявили о заключении соглашения о создании в России производства памяти MRAM нового поколения. В рамках соглашения «Роснано» и Crocus создадут компанию Crocus Nano Electronics (CNE), которая построит в России завод по производству памяти MRAM средней и высок |
|
24.04.2007 |
В Корее представили сверхскоростной чип памяти MRAM
Министерство науки и технологий Кореи объявило о том, что группой исследователей под руководством профессора Ким Бонг-су из института KAIST была разработана новая технология под названием MRAM (magnetic RAM), которая будет использоваться для изготовления чипов памяти нового поколения, сообщает Nano Letters. MRAM намного превосходит способности современных чипов, поскольку |
|
12.07.2006 |
Новая память мгновенно загрузит компьютер
Новые микросхемы, созданные по технологии магниторезистивной оперативной памяти (MRAM), сохраняют информацию с помощью магнитных свойств, а не электрических зарядов. В отличие от флэш-памяти, которая также является энергонезависимой, MRAM быстрее выполняет чтение и з |
|
10.07.2006 |
Американцы создали новый тип энергонезависимой памяти MRAM
Американская компания Freescale объявила о создании чипа магниторезистивной памяти MRAM (Magnetoresistive RAM). Среди отличительных особенностей MRAM можно выделить высокую скорость чтения и записи, сравнимую с памятью Static RAM, а также высокий уровень интеграции яче |
|
25.06.2004 |
Infineon и IBM представили 16-мегабитную память MRAM
Infineon Technologies и представили 16-Мбитный чип магнитно-резистивной оперативной памяти (MRAM), самый емкий в своем классе, сообщает NE Asia Online. Магнитно-резистивная память обладает более высокими скоростными характеристиками, чем NAND и NOR флэш,- в миллион раз быстрее записыв |
|
25.12.2003 |
2004: 10 технологий, которые потрясут мир
Philips уже продвигает на рынок свою линейку светодиодных лампочек Luxeon, которые служат в 10-50 раз дольше привычных ламп накаливания, потребляя при этом на 80% меньше энергии. Компьютерная память MRAM: Технология магнитной памяти с произвольной выборкой (хоть пока и теоретически) более чем в 1 тыс. раз быстрее ныне существующей энергонезависимой флэш-памяти и примерно в 10 раз быстрее D |
|
25.12.2003 |
2004: 10 технологий, которые потрясут мир
Philips уже продвигает на рынок свою линейку светодиодных лампочек Luxeon, которые служат в 10-50 раз дольше привычных ламп накаливания, потребляя при этом на 80% меньше энергии. Компьютерная память MRAM: Технология магнитной памяти с произвольной выборкой (хоть пока и теоретически) более чем в 1 тыс. раз быстрее ныне существующей энергонезависимой флэш-памяти и примерно в 10 раз быстрее D |
|
03.10.2003 |
MRAM-память станет элементом логических устройств
вместить эти два процесса. Для этого они предложили новый подход, основанный на использовании магниторезистивных элементов памяти. Напомним, что первые магниторезистивные элементы оперативной памяти (MRAM) были представлены компанией Motorola в 2001 г. MRAM-память сочетает в себе все достоинства используемых сегодня типов памяти: она обладает высокой скоростью работы, характерной для |
|
03.10.2003 |
MRAM-память станет элементом логических устройств
вместить эти два процесса. Для этого они предложили новый подход, основанный на использовании магниторезистивных элементов памяти. Напомним, что первые магниторезистивные элементы оперативной памяти (MRAM) были представлены компанией Motorola в 2001 г. MRAM-память сочетает в себе все достоинства используемых сегодня типов памяти: она обладает высокой скоростью работы, характерной для |
|
10.06.2003 |
IBM и Infineon: компьютеры будут включаться, как свет
Компьютер с MRAM сможет загружаться практически мгновенно. Это будет похоже на включение света, утверждает IBM. MRAM работает аналогично флэш-памяти, то есть сохраняет информацию даже в случае отклю |
|
16.09.2002 |
NEC и Toshiba будут производить память MRAM
говора о сотрудничестве, в рамках которого будет проведена разработка чипов памяти нового поколения MRAM (Magnetic Random Access Memory). Общий объем инвестиций, который планируется вложить в р |
|
07.12.2000 |
IBM и Infineon разработали чипы оперативной памяти принципиально нового типа
on Technologies занимаются совместной разработкой нового типа памяти Magnetic Random Access Memory (MRAM), который сможет заменить использующиеся ныне. В отличие от нынешних чипов памяти, испол |
|
25.07.2000 |
USTC разработала магниторезистивную память - MRAM
chnology Corp. (USTC) сообщила об успешной разработке памяти Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) (магниторезистивной памяти с произвольным доступом), пригодной для коммерческого внедре |
MRAM и организации, системы, технологии, персоны:
Applied Physics Letters 33 4 |
NewsFactor 127 4 |
Thomson Reuters - Reuters Group - Рейтер 5877 3 |
Nature 807 3 |
AT&T - WarnerMedia CNN - Turner Broadcasting System 645 2 |
Ведомости 901 2 |
Dow Jones - MarketWatch 311 2 |
PhysicsWeb 180 2 |
Scientific American 80 2 |
Госрасходы - портал 68 1 |
EE Times 158 1 |
Nature Electronics 4 1 |
New Scientist 1448 1 |
Chicago Tribune 13 1 |
VNUNet.com 214 1 |
NE Asia Online 313 1 |
Rambler - Lenta.ru - Лента.ру - онлайн-издание 114 1 |
Обработан архив публикаций портала CNews.ru c 11.1998 до 09.2024 годы.
Ключевых фраз выявлено - 1308728, в очереди разбора - 788128.
Создано именных указателей - 155778.
Редакция Индексной книги CNews - book@cnews.ru
Читатели CNews — это руководители и сотрудники одной из самых успешных отраслей российской экономики: индустрии информационных технологий. Ядро аудитории составляют топ-менеджеры и технические специалисты департаментов информатизации федеральных и региональных органов государственной власти, банков, промышленных компаний, розничных сетей, а также руководители и сотрудники компаний-поставщиков информационных технологий и услуг связи.