Разделы

USTC разработала магниторезистивную память - MRAM

Компания Union Semiconductor Technology Corp. (USTC) сообщила об успешной разработке памяти Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) (магниторезистивной памяти с произвольным доступом), пригодной для коммерческого внедрения. Новая память может использоваться в компьютерах, беспроводных устройствах и потребительской электронике. В отличие от флэш-памяти, MRAM способна обеспечить меньшее время записи/чтения, причём для этих операций не требуется высоких напряжений. Принцип действия MRAM основан на эффекте магнитной поляризации, что позволяет хранить записанную информацию в течение длительного времени. По словам USTC, массовое производство микросхем 1Мбит MRAM начнётся в первом квартале 2001 года.



37-я международная выставка информационных и коммуникационных технологий Связь-2025 37-я международная выставка информационных и коммуникационных технологий Связь-2025

erid: 2W5zFHRYEHv

Рекламодатель: АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО «ЭКСПОЦЕНТР»

ИНН/ОГРН: 7718033809/1027700167153