Samsung Electronics серия SSD

го солнца теперь приходится платить на 300% больше, чем еще совсем недавно. Так, флагманская модель SSD Samsung 9100 Pro емкостью 8 ТБ обойдется примерно в 548 тыс. йен (около $3,5 тыс.). Издан

0 Pro в сентябре 2020 г. Входящие в нее накопители построены на базе контроллера Elpis, флеш-памяти V-NAND и быстрой энергозависимой DRAM для кеширования данных. По заявлению производителя, уст

и. Так, в девайсах задействован новый контроллер Samsung Pascal и фирменная 176-слойная флеш-память Samsung V-NAND с трехуровневыми ячейками (TLC). Кроме того, они оснащены буфером DRAM-памяти

орация представила в сентябре 2020 г. Он построен на базе контроллера Elpis, постоянной флеш-памяти V-NAND и быстрой энергозависимой DRAM для кеширования данных. По заявлению производителя, уст

а анонсирована в январе этого года. Новые диски подходят как обычным пользователям ПК, так и IT-специалистам, а также для применения в сетевых хранилищах (NAS). Модели серии оснащены новейшими чипами V-NAND и контроллерами Samsung, что позволяет накопителям достигать максимальной скорости последовательного чтения и записи 560 МБ/с и 530 МБ/с соответственно. За счет использования большого пе

и надежности Samsung заверяет, что все накопители серии 870 EVO собираются на новейших чипах памяти V-NAND и оснащаются контроллерами ее собственной разработки. Выполненные в стандартном формат

го новейшего внешнего устройства для хранения данных – портативного твердотельного накопителя (SSD) T7 Touch, который сочетает в себе элегантный компактный дизайн и высочайшую скорость передачи

Samsung Electronics объявила о начале массового производства V-NAND флеш-памяти с максимальной скоростью передачи данных в отрасли. Благодаря Toggle DDR 4.0 интерфейсу, используемого впервые в индустрии, скорость обмена данными между накопителем и новыми

зования в корпоративных системах хранения данных нового поколения. Использование новейшей технологи V-NAND от Samsung с 64 слоями, трехбитовой ячейкой и 512-гигабитными чипами ведет к двойному

рые обеспечивают в 10 раз более высокую скорость чтения ячеек по сравнению с чипами 3-битной памяти V-NAND. Кроме того, имеется память 1,5 ГБ LPDDR4 DRAM и высокопроизводительный контроллер. Бл

й для мобильных устройств нового поколения. Благодаря использованию 64-слойных 512-гигабитных чипов V-NAND Samsung, новый пакет 512 ГБ eUFS обеспечивает большой объем памяти и высокую производи

Компания Samsung представила новые решения памяти V-NAND (Vertical NAND) и технологию, которая позволит удовлетворить жесткие требования систем

Samsung Electronics объявила о запуске серийного производства 64-слойной флэш-памяти V-NAND 256Gb, предназначенной для расширения линейки решений хранения данных, которые будут использоваться в серверах, ПК и мобильных устройствах.После того как в январе компания Samsung начала

ального времени. В частности, компания продемонстрировала свою память 4-го поколения Vertical NAND (V-NAND) и линейку высокопроизводительных твердотельных накопителей с большой емкостью корпора

премиум-сегмента размером с ладонь. Оснащенный запатентованными технологиями Samsung Vertical NAND (V-NAND) и SSD TurboWrite T3 предоставляет оптимизированные возможности для пользователей, раз

копроизводительных моделей твердотельных дисков, разработанных на базе 3D-технологии Vertical NAND (V-NAND), в линейку SSD для крупных предприятий и центров обработки данных. Эти модели дисков

объявила о начале серийного производства 256-гигабитной, трехмерной (3D) флэш-памяти Vertical NAND (V-NAND), которая включает 48 слоев массивов 3-разрядных многоуровневых ячеек (MLC) и предназн

ачале массового производства высокопроизводительных PCIe твердотельных накопителей (SSD) с низким энергопотреблением для использования в современных ультратонких ноутбуках и рабочих станциях – модель Samsung SM951. Samsung SM951 отличается высокой производительностью как при работе с PCIe 3.0, так и PCIe 2.0 интерфейсом. При подключении к интерфейсу PCIe 2.0 скорость последовательног

чале серийного производства твердотельных дисков 3,2 ТБ NVMe PCIe на базе технологии флэш-памяти 3D V-NAND (Vertical NAND), которые предназначены для корпоративных серверных систем премиум-клас

g Electronics сообщила о начале серийного производства первой в отрасли трехмерной (3D) флэш-памяти V-NAND, которая включает 32 слоя ячеек по вертикали (это второе поколение флэш-памяти V-NA

ах впервые в промышленных масштабах реализована технология размещения ячеек в объемной структуре 3D V-NAND. С момента появления 40 лет назад и до сегодняшнего дня флэш-память представляла собой