Rambus DRAM RDRAM

ntel принял решение о сокращении производства чипсетов 850E и 860 и уходе от стандарта Rambus DRAM (RDRAM). Чипсеты Intel 850E и 860 являются продуктами на базе RDRAM и ориентированы соо

По сообщению компании Rambus Inc., являющейся владельцем и разработчиком интерфейсной технологии, используемой в RDRAM, Intel будет поддерживать самый быстрый вариант этой памяти с частотой 1066 МГц в своих чипсетах. До сих пор будущее этих модулей в продуктах Intel было под вопросом, хотя многие тайваньс

Первая плата из двух, поддерживающая 32-разрядные RIMM модули RDRAM PC4200 и PC3200, наконец появилась в японской рознице. Это известная P4T533 от ASUS, о которой уже говорилось в конце мая. Не следует путать ее с P4T533-C, предназначенной для обычных 16-

Intel собирается использовать DDR-архитектуру в новых чипсетах для серверов и рабочих станций, нанося удар по RDRAM на рынке дорогостоящих моделей. Для настольных систем компания пока продолжает осуществлять поддержку RDRAM в чипсетах i850 и i850Е. По сведениям близких компании источников, этот

и Via. В свою очередь, корпорация Intel начала внедрение другого нового типа памяти - Rambus DRAM (RDRAM), в которой для увеличения пропускной способности применяется "узкая" 16-разрядная шина

в. Теперь существуют чипсеты для всех наиболее популярных типов памяти на рынке (SDRAM, DDR SDRAM и RDRAM). Что касается AMD, она представила чипсеты с поддержкой SDRAM и DDR SDRAM. Несмотря на

сширила существующее лицензионное соглашение с компанией Rambus, включив в него существующую сейчас RDRAM-технологию, известную как Direct RDRAM. Новое соглашение позволит компании испол

Silicon Integrated Systems работает над своей версией чипсета для процессора Pentium 4 с поддержкой RDRAM-памяти. Ранее представители Rambus заявляли о том, что в ближайшее время появится новый

до восьми бит данных за один такт) фактически представляет собой удвоенную скорость передачи данных в памяти Rambus. Использование системы фазовой синхронизации позволяет достигнуть тактовой частоты RDRAM 3,2 ГГц. Тактовая частота ядра увеличивается с 400 МГц до 1,6 ГГц, затем удваивается до 3,2 ГГц за счет системы фазовой автоподстройки частоты, которая позволяет считывать данные при изме

до восьми бит данных за один такт) фактически представляет собой удвоенную скорость передачи данных в памяти Rambus. Использование системы фазовой синхронизации позволяет достигнуть тактовой частоты RDRAM 3,2 ГГц. Тактовая частота ядра увеличивается с 400 МГц до 1,6 ГГц, затем удваивается до 3,2 ГГц за счет системы фазовой автоподстройки частоты, которая позволяет считывать данные при изме

22 октября Rambus представила сигнальную технологию Yellowstone для создания RDRAM-памяти нового поколения, позволяющую передавать данные между процессором и ОЗУ со скоро

адрес Rambus-технологии - по крайней мере, в том, что касается ее стоимости. В настоящее время ПК с RDRAM стоят на $100 дороже своих SDRAM-аналогов. Начало выпуска новой памяти назначено на вто

адрес Rambus-технологии - по крайней мере, в том, что касается ее стоимости. В настоящее время ПК с RDRAM стоят на $100 дороже своих SDRAM-аналогов. Начало выпуска новой памяти назначено на вто

ng Electronics сообщила 27 сентября об окончании разработки более быстрой и емкой, и дешевой памяти RDRAM.Более быстрые новые чипы нацелены, в первую очередь, на высокопроизводительные настольн

года, предоставляет Intel полный доступ к портфелю разработок Rambus. Более известная как создатель RDRAM, Rambus занимается разработкой и других видов памяти, а также коммунникационных и сетев

Компания Samsung Electronics, контролирующая на сегодняшний день 60% рынка памяти RDRAM, объявила 7 августа о том, что чип 128Мб больше не является основным серийным продуктом

т более простую архитектуру и имеют на 5% меньшие размеры, чем выпускающиеся в настоящее время чипы RDRAM. 256-мегабитные чипы Rambus DRAM, выполненные по новой технологии, будут выпускаться с

в. Теперь существуют чипсеты для всех наиболее популярных типов памяти на рынке (SDRAM, DDR SDRAM и RDRAM). Что касается AMD, она представила чипсеты с поддержкой SDRAM и DDR SDRAM. Несмотря на

Компания Samsung Electronics Co., Ltd. заявила о намерении увеличить объем производства своих чипов памяти Rambus DRAM и занять 53% от общего объема рынка этой памяти в 2001 году. Несмотря на снижение цен на чипы DRAM, представители корейской компании заявили, что намерены увеличивать объем производ

микрон, то есть 1/600 от толщины человеческого волоса. Samsung наладит массовое производство чипов RDRAM третьего поколения с объемом памяти 128Mb, 144Mb и 288Mb. Четыре модуля 288МВ (каждый м

После начала выпуска компанией Intel процессора Pentium 4 и систем на его основе, поддерживающих RDRAM, производители памяти NEC, Samsung и Toshiba сообщили об увеличении объемов выпуска модулей памяти этого типа. Наиболее крупный производитель модулей RDRAM компания Samsung, сообщи

mbus остается низким или вообще отсутствует. Hyundai и Micron вообще прекратили производство Direct RDRAM до тех пор, пока не появятся заказчики. Infineon, в планы которой входило производство

прос остается низким или вообще отсутствует. Hyundai и Micron вообще прекратили производство Direct RDRAM до тех пор, пока не появятся заказчики. Infineon, в планы которой входило производство

ередач Set-Top Boxes (STB) к началу Олимпийских игр в Сиднее. В приборах используются модули памяти RDRAM с пропускной способностью до 1,6 ГБ/с, что позволит обеспечить минимальный размер "зерн

общает, что она пока является единственной компанией, осуществляющей реверсивную упаковку элементов RDRAM. Подобный способ позволяет установить 16 элементов на модуле вместо обычных восьми. Пре

Компания Rambus Inc. представила новую технологию производства памяти RDRAM, работающей на частоте более 1,066 ГГц. По словам компании, массовое производство таких чипов начнется уже в этом году. Новый чип 1,066 ГГц RDRAM будет поддерживать короткий канал

а производстве печатных плат и корпусов для микросхем, заключила технологическое соглашение с компанией Rambus Inc. Целью соглашения является совместная разработка следующего поколения модулей памяти Rambus DRAM. Модули нового поколения будут иметь вчетверо большую пропускную способность по сравнению с существующими модулями, что позволит достичь вдвое большей производительности. SimmTech я

ючает в себя микросхемы Double Data Rate (DDR) SDRAM, DDR Fast Cycle (FC) RAM и Direct Rambus DRAM (RDRAM). Микросхемы новой серии выполнены по передовой 0,175 микронной технологии и предназнач

росхем памяти, сообщила о своём намерении нарастить объёмы производства чипов 288 Мбит Rambus DRAM (RDRAM). По словам компании, к сентябрю этого года будет начато массовое производство таких чи

ое проводила Intel, было сравнение производительности памяти PC133 SDRAM (на чипсете 815E) и памяти Direct Rambus DRAM (на чипсете 820). Для проведения тестов использовалась программа Benchmark

Компания Kingston Technology Co. Inc. начала поставки модулей памяти 256МБ PC-600 ECC RDRAM (Rambus DRAM) для рабочих станций на базе материнских плат Intel OR840. Такая память ис

Ltd. сообщила, что с осени прошлого года, когда состоялось представление чипа 128 Мбит Rambus DRAM (RDRAM), всего компанией было продано 10 млн. экземпляров чипа. В настоящее время компания Sam

NEC Electronics Inc. сообщила, что её новый продукт - чип 288 Мбит Direct Rambus DRAM (RDRAM) - получил сертификат компании Rambus. Новый чип имеет встроенную коррекцию ошибок и об

lectronics Co., Ltd. в этом году станет безусловным лидеров по производству микросхем памяти Direct Rambus DRAM (DRDRAM). Объём производства компанией 144 Мбит и 288 Мбит модулей составит на ко

Компания Samsung Electronics сообщила о своём намерении увеличить производство памяти Rambus DRAM (RDRAM) на 500% в связи с ожидаемым ростом спроса на этот скоростной тип памяти. Компания наме

ABIT CX6 и CH6 - АТХ-матплаты для Pentium III со слотом AGP и поддержкой Ultra DMA 66/Direct RDRAM с патентованной технологией CPU Soft MenuTMII. Чипсет Intel 820 под

явлению Samsung, она намерена переориентироваться с синхронных микросхем памяти SDRAM на микросхемы RDRAM и в течение второй половины текущего года увеличить производство RDRAM емкостью