Samsung начала массовое производство модулей памяти DRAM 256 Мб третьего поколения
0,15-мкм технология позволила на 30% увеличить количество чипов 256Мб Rambus DRAM, получаемых из одной кремниевой пластины, по сравнению с 0,17-мкм технологией. В то же время, скорость обработи внутреннего сигнала увеличилась с 800 МГц до 1 ГГц и более.
Разработчики уменьшили размеры новых чипов памяти 256Мб Rambus DRAM, что, по мнению специалистов компании, сделает эти чипы более конкурентноспособными в ценовом плане по сравнению с SDRAM. В настоящее время Rambus DRAM используется в высокоуровневых компьютерах, рабочих станциях и игровых приставках. В планах компании Samsung расширить сферу применения DRAM за счет использования ее в мобильных устройствах, средствах интерактивной связи и др. К концу этого года компания планирует выпустить чип Rambus DRAM, изготовленный по 0,13 микронной технологии, а в первой половине следующего года представить 4Bank Rambus DRAМ, размеры которой на 3% меньше, чем у чипов SDRAM, и которая на 10% дешевле.
Компания Samsung Electronics Co., Ltd. является производителем бытовой электроники. Объемы продаж корпорации в 2000 финансовом году составили более $27 млрд. Samsung Electronics, штаб-квартира которой расположена в Южной Корее, имеет представительства в 50 странах. 54 000 человек по всему миру являются сотрудниками корпорации. Основные направления в деятельности компании - полупроводники, цифровые медиа-технологии, бытовая техника, а также информационные технологии и телекоммуникации.
Разработанная компанией Rambus вместе с партнерами разработала технология RDRAM передает данные со скоростью свыше 1,6 ГБайт\сек. 25 ведущих производителей полупроводников получили лицензии на использование технологии Rambus. Устройства, разработанные на основе технологии RDRAM, применяются в более 200 приложениях - ПК, телекоммуникациях и др., включая сегмент высокоуровневых серверов, рабочих станций, настольных компьютеров, игровых приставок и др.



