|
Поделиться
Поделиться
Samsung начала массовое производство Rambus DRAM по 0.17-микронной технологии
Сегодня компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства чипов третьего поколения Rambus DRAM (динамическая память с произвольным доступом Rambus). В этих чипах толщина схем составляет приблизительно 0,17 микрон, то есть 1/600 от толщины человеческого волоса. Samsung наладит массовое производство чипов RDRAM третьего поколения с объемом памяти 128Mb, 144Mb и 288Mb. Четыре модуля 288МВ (каждый модель состоит из 16 чипов), установленные в одной системе, могут поддерживать до 2GB памяти. Применение технологии третьего поколения означает, что на подложке можно изготавливать чипов на 25 процентов больше, чем это было возможно при технологии второго поколения. Повышение эффективности обеспечит снижение уровня затрат на производство. Массовое применение чипов RDRAM сдерживалось высоким уровнем производственных затрат.В то же время, технология массового производства следующего поколения компании Samsung позволяет сделать размеры чипа меньше и сокращает время обработки внутреннего сигнала внутри чипа. Помимо этого, операционная скорость улучшается более чем на 30%, а такие чипы DRAM могут достигать скорость 1,066 MHz. Этот показатель является наиболее быстрым для имеющихся чипов памяти.
Короткая ссылка
