Электроника MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect Transistor МОП-транзистор Полевой (униполярный) транзистор металл-оксид-полупроводник с изолированным затвором

«Ангстрем-Т» освоило современную технологию производства силовых транзисторов Trench MOSFET. В данный момент «Ангстрем-Т» является единственным в России производителем, ко

им же номинальным лавинным током и постоянным током (ID), что позволяет легко заменить существующие МОП-транзисторы. Устройства выпускаются в стандартном корпусе TO-220SIS и предоставляют проек

тройств U-MOS VIII-H и представила два новых низковольтных мощных МОП-транзистора с каналом n-типа. МОП-транзисторы предназначены для применения в таких системах, как устройства быстрой зарядки

Компания Toshiba Electronics Europe расширила серию низковольтных мощных МОП-транзисторов с каналом n-типа на основе технологии U-MOS IX-H и представила новые устройс

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) расширила ассортимент высокоэффективных МОП-транзисторов U-MOS IX-H и представила устройство с каналом n-типа в SMD-корпусе DSOP Advance с двусторонним охлаждением. Как рассказали CNews в Toshiba, устройство TPW1R306PL на 60 В облада

ебуемого пространства на плате в таких устройствах, как бытовые приборы, оргтехника и системы промышленной автоматики, подчеркнули в компании. TBD62089APG Новая ИС выпускается в корпусе DIP20 и имеет ДМОП-транзисторный выход с отрицательной логикой, который обеспечивает управление высокими напряжениями и большими токами до 50 В и 0,5 А соответственно. По оценкам Toshiba, потери мощности сни

ием и подходят для применения в современных портативных устройствах с автономным питанием. Применение технологического процесса формирования канавки серии U-MOS IX-H обеспечивает низкое сопротивление МОП-транзисторов в открытом состоянии. Номинальные значения RDS(ON) составляют 6,5 мОм для SSM6K513NU на напряжение 30 В и 8,9 мОм для SSM6K514NU на напряжение 40 В. Это позволяет снизить тепло

Если отдельный МОП-транзистор открывается раньше или закрывается позже, чем другие параллельные ему МОП-транзисторы, потери при переключении сосредотачиваются именно в этом МОП-транзисторе, ука

Toshiba Electronics Europe объявила о расширении серии мощных автомобильных МОП-транзисторов моделью TK1R5R04PB – первым устройством в новом корпусе D2PAK+ со сверхнизким сопротивлением. Как рассказали CNews в компании, корпус D2PAK+ совместим на уровне монтажа с тради

скорости переключения и снижения потерь при переключении.Как и другие устройства серии U-MOS IX-H, МОП-транзисторы TPH1R306PL подходят для применения в преобразователях постоянного тока и цепя

где низкий выходной заряд (QOSS) снижает вклад устройства в потери мощности при выпрямлении. Новые МОП-транзисторы могут работать при температуре канала до 175 °C, а применение технологии U-MO

я и шумов от электромагнитных помех. Технологический процесс DTMOS V позволяет создавать компактные МОП-транзисторы МОП-транзисторы на основе технологии DTMOS V позволят упростить конструкцию с

38%, отметили в компании. Такого снижения потерь мощности удалось достичь только за счет применения ДМОП-драйверов на выходе, поскольку в них отсутствует ток базы и допускается более высокая пл

Компания Toshiba Electronics Europe — европейское подразделение по производству электронных компонентов корпорации Toshiba Corporation — расширила ассортимент МОП-транзисторов для автомобильной промышленности и представила новое устройство с каналом n-типа на 40 В в корпусе TO-220SM(W) с низким сопротивлением в открытом состоянии. TKR74F04PB оптималь

ания и другие схемы, в которых требуется коммутация токов ниже 5 А, сообщили CNews в Toshiba. Новые МОП-транзисторы, работающие в режиме обогащения, выпускаются с применением планарного техноло

четанию высокой допустимой плотности тока при сохранении низкого сопротивления в открытом состоянии ДМОП-транзисторы оптимизируют работу и обеспечивают снижение потерь мощности, утверждают в ко

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) объявила о том, что ее высокоэффективные низковольтные МОП-транзисторы теперь доступны и в сверхкомпактных корпусах DSOP Advance. Новые корпуса подд