NAND flash memory флеш-память NAND 2D flash memory NAND 3D flash memory

этом руководство компании предупредил возглавляющий его Тэ Мун Ро (TM Roh), пишет южнокорейское издание Money Today. Причина – высокая цена микросхем памяти LPDDR5X и накопителей на базе флеш-памяти NAND. Если раньше основной вклад в себестоимость смартфона вносили процессор и дисплей, то в нынешних реалиях на этот показатель все в большей степени начинают влиять именно DRAM и NAND.

okyo Electron, Shin-Etsu Chemical и Silicon United Manufacturing (SUMCO), это может усилить дефицит NAND-памяти и чипов, пишет TrendForce. Руководители предприятий приостанавливали работу завод

одства Сильное землетрясение в Японии нарушило работу предприятий Kioxia, это может усилить дефицит NAND-памяти, пишет TrendForce. Часть оборудования на фабрике автоматически остановилась после

Дефицит длиной в 10 лет Грядет дефицит флеш-памяти NAND, который обязан буму искусственного интеллекта, он может растянуться на десятилетие. Так

крупномасштабного производства нового типа памяти – UltraRAM, пишет Tom’s Hardware. Она сочетает в себе скорость работы на уровне оперативной памяти DRAM и принцип функционирования как у флэш-памяти NAND, которую потенциально может заменить. UltraRAM – это разработка британской компании Quinas Technology. По словам авторов технологии, UltraRAM имеет в 4000 большую долговечность в сравнении

Найден новый виновный Доходы отрасли флэш-памяти NAND находятся на волне роста благодаря спросу на твердотельные накопители (SSD) для использо

amsung поднимает цены на флеш-память Корпорация Samsung повысила контрактные цены на флеш-память 3D NAND собственного производства в первой половине декабря 2022 г. вслед за включением ее прямо

овом рынке модулей флеш-памяти в краткосрочной перспективе ожидается резкое падение цен. Микросхемы NAND, используемые в SSD, USB-драйвах, смартфонах и другой технике, подешевеют в цене в средн

конце тоннеля В ближайшие месяцы на мировом рынке ожидает внушительное снижение цен на флеш-память NAND и модули оперативной памяти DRAM, сообщает исследовательская компания TrendForce. Это не

Контроллеры в цене Поставщики контроллеров флеш-памяти (NAND) сообщают о повышенном спросе на их продукцию и неспособностью полностью удовлетворить е

Компания Intel приняла решение отказаться от своего бизнеса по производству микросхем флеш-памяти (NAND). Она собирается продать его, и как пишет CNN, покупатель уже найден. Бизнес Intel по вы

Adata Technology, производитель высокоскоростных модулей памяти DRAM, продуктов на базе NAND Flash, а также мобильных аксессуаров, объявила о запуске двух новых SSD Adata Falcon и S

знес Intel Компания Intel рассматривает возможность закрытия производства чипов памяти стандарта 3D NAND и твердотельных накопителей на ее основе. Как пишет ресурс Block & Files, причиной этому

спешном завершении разработки технологического процесса пятого поколения для производства памяти 3D NAND. Технология получила название BiCS5 и закрепила лидирующие позиции компании в производст

пители (SSD) до конца 2019 г. могут существенно подорожать на фоне роста стоимости микросхем памяти NAND. Контрактные цены на NAND-модули, по данным ресурса Digitimes, прекратили падение

Toshiba Memory Europe представила второе поколение флэш-памяти NAND для встраиваемых решений, которое отличается повышенной ёмкостью и производительностью.

ые в дата-центрах и корпоративных хранилищах данных. Решение XL-FLASH, представляющее собой память класса хранилища, или энергонезависимую память, способно сохранять содержимое аналогично флеш-памяти NAND и устраняет разрыв в производительности между памятью типов DRAM и NAND. Энергозависимая память, в том числе DRAM, обеспечивает необходимую скорость доступа к данным для работы прил

Samsung Electronics объявила о начале массового производства V-NAND флеш-памяти с максимальной скоростью передачи данных в отрасли. Благодаря Toggle DDR 4.0 интерфейсу, используемого впервые в индустрии, скорость обмена данными между накопителем и новыми 2

вая архитектура флэш-памяти Micron Technology и Intel представили новейшие чипы флэш-памяти типа 3D NAND (так называемой вертикальной памяти). Микросхема состоит из 64 слоев, заполненных ячейка

950U для киберспорта с интерфейсом SATA 6 Гбит/с. Новинка построена на базе памяти нового поколения 3D NAND в паре с быстрым контроллером SMI, обеспечивая скорости последовательного чтения/запи

для мобильных устройств нового поколения. Благодаря использованию 64-слойных 512-гигабитных чипов V-NAND Samsung, новый пакет 512 ГБ eUFS обеспечивает большой объем памяти и высокую производите

Компания Samsung представила новые решения памяти V-NAND (Vertical NAND) и технологию, которая позволит удовлетворить жесткие требования с

Samsung Electronics объявила о запуске серийного производства 64-слойной флэш-памяти V-NAND 256Gb, предназначенной для расширения линейки решений хранения данных, которые будут исп

Adata Technology, ведущий производитель высокопроизводительных модулей памяти DRAM и флэш-памяти NAND, представляет промышленный SSD-накопитель IM2P3388 с интерфейсом PCIe Gen3x4 в форм-факт

тавила твердотельные накопители для клиентских систем, построенные на базе 64-слойной технологии 3D NAND. Это технологическое достижение позволяет компании выпускать новые инновационные твердот

в линейке XPG - SX7000. Новинка выполнена в форм-факторе M.2 2280 и в ее основе лежит память 3D TLC NAND вкупе с контроллером SMI. Накопитель подключается к материнской плате по интерфейсу PCI

я заметно более высокими скоростями чтения и записи, чем чипы 2D NAND. Также отличительными чертами 3D NAND являются низкий уровень потребления электроэнергии и высокая надежность на протяжении

Adata Technology представила новинку в линейке решений 3D NAND, 2,5-дюймовый SSD-накопитель с интерфейсом SATA 6Gb/s - Ultimate SU700. Модель SU700, ем

овинка защищена от воды и пыли по стандарту IEC IP68 и от ударов по военным стандартам. Память типа 3D TLC NAND емкостью 256 ГБ, 512 ГБ или 1 ТБ упакована в корпус в геймерском стиле и подключа

телей и мобильных аксессуаров, представила внешний SSD-накопитель SD600, построенный на базе памяти 3D TLC NAND. Новинка имеет два варианта объема — 256 ГБ и 512 ГБ, и обеспечивает скорости чте

тному интерфейсу USB 3.1.Adata завершает перевод своей линейки накопителей на многоуровневую память 3D NAND. Это позволяет создавать SSD большего объема без удорожания, присущего одноуровневой

gital Corp. объявила о начале опытно-промышленного производства 512-гигабитного 64-слойного чипа 3D NAND памяти (BICS3) с тремя битами на ячейку (X3) на фабрике Yokkaichi в Японии и планах запу

Toshiba объявила о выпуске устройств встроенной флеш-памяти NAND, соответствующих стандарту JEDEC eMMC версии 5.1 и требованиям спецификации AEC-Q100 Grade2. Как рассказали CNews в компании, в ассортименте представлены устройства емкостью 8, 16, 32 и 64

ии, технология Transcend SuperMLC занимает промежуточную позицию между флэш-памятью типов SLC и MLC NAND: по своей производительности она практически не уступает SLC NAND, но при этом, о

6Gb/s в форм-факторе 2,5 дюйма. Как рассказали CNews в компании, в модели SU900 применяется память NAND-типа с технологией 3D MLC и контроллер SMI 2258. Емкость SSD новой серии достигает 2ТБ,

реводу существующих решений на технологию 3D NAND. SSD SC660H и SV620H основаны на новой технологии 3D TLC NAND, заменившей традиционную 2D NAND, и обеспечивают более высокую надежность, долгов

Adata Technology объявила о выпуске твердотельных накопителей (SSD) Ultimate SU800 на базе технологии 3D NAND. Как рассказали CNews в компании, накопитель доступен в версиях емкостью 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ. Скорость чтения SSD достигает 560 МБ/с, записи 520 МБ/с. Накопитель SU800 выполне

Transcend Information представил новый твердотельный накопитель на основе памяти 3D NAND. Как рассказали CNews в компании, выпуск 2,5-дюймовых твердотельных накопителей Transcen

ться возможностями соотношения цены и производительности передовой технологии 24 нм флэш-памяти SLC NAND Toshiba во всем спектре емкостей от 1 до 128 ГБ. Как и другие изделия этой серии, новое

име реального времени. В частности, компания продемонстрировала свою память 4-го поколения Vertical NAND (V-NAND) и линейку высокопроизводительных твердотельных накопителей с большой емк