Спецпроекты

Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5

Техника
SK hynix представила «первые в мире» чипы DDR5. Новая энергозависимая память, как утверждают в южнокорейской компании, почти вдвое производительнее DDR4 и на 20% более энергоэффективна. Емкость модулей может достигать 256 ГБ.

Первая память стандарта DDR5

Южнокорейская компания SK hynix начала производство первой в мире оперативной памяти нового поколения DDR5 DRAM, говорится в пресс-релизе, опубликованном на официальном сайте компании. Продукт, по заявлению производителя, оптимизирован для решения задач с применением технологий больших данных, искусственного интеллекта и машинного обучения.

Новинка поддерживает скорость передачи данных в диапазоне от 4800 до 5600 Мбит/сек на контакт, что в 1,8 раз выше показателя изделий стандарта предыдущего поколения – DDR4. Для сравнения: модуль памяти с такими характеристиками мог бы обеспечить передачу девяти фильмов в высоком разрешении (FullHD, примерно 5 ГБ каждый) в секунду.

Рабочее напряжение микросхемы было понижено с 1,2 до 1,1 В, благодаря чему уровень энергопотребления также снизился на 20%.

В DDR5-памяти SK hynix реализована функция коррекции ошибок (ECC, Error Correcting Code), которая по оценке производителя, повышает надежность работы приложений в 20 раз. Микросхемы DDR5 DRAM могут быть скомпонованы с максимальной плотностью при помощи технологии TSV, что позволяет получить модуль памяти емкостью до 256 ГБ.

Когда появятся продукты с поддержкой новой памяти

SK hynix объявила о создании первой в мире микросхемы 16-гигабитной памяти DDR5 DRAM в ноябре 2018 г. Комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC опубликовал последнюю версию стандарта DDR5 в июле 2020 г.

Микросхемы памяти DDR5 SK hynix, а также 32- и 64-гигабайтные RDIMM-модули на ее основе

Если верить утечкам, поддержка оперативной памяти стандарта DDR5 может быть реализована в будущих серверных процессорах Intel на базе архитектуры Sapphire Rapids, которые должны выйти в 2021 г. CPU и APU компании AMD на базе архитектур Zen 4 и Zen 3+ соответственно могут обзавестись поддержкой DDR5 и выйти на рынок в 2022 г.

Согласно прогнозу исследовательской компании Omdia, спрос на DDR5 начнет расти в 2021 г., в 2022 г. достигнет 10% от рынка DRAM, а к 2024 г. превысит 40%.

До мобильной электроники «пятое поколение» уже добралось

В отличие от DDR5, оперативная память пятого поколения LPDDR5 (Low-Power DDR), ориентированная на сегмент мобильных устройств – смартфонов, планшетов и ноутбуков, появилась на рынке достаточно давно. Память данного типа применяется, к примеру, во флагманских смартфонах Samsung Galaxy S20 и Xiaomi Mi 10, выпущенные в феврале 2020 г.

Samsung стала первой компанией в мире, запустившей массовое производство 12-гигабитной мобильной DRAM-памяти LPDDR5. Конвейер, как сообщал CNews, заработал в июне 2019 г., и первые чипы имели объем 6 Гбит. Первые 12-гигабитные модули были выпущены в сентябре 2019 г. Они обеспечивали скорость передачи данных 5500 Мбит/cек при на 30% меньшем уровне потребления энергии по сравнению с предшественником (LPDDR4x).

В конце февраля 2020 г. Samsung запустила в серию 16-гигабайтные модули памяти на базе ранее представленных 12-гигабитных чипов с пропускной способностью 5500 Мбит/сек.

В августе 2020 г. Samsung приступила к массовому производству первых в отрасли мобильных чипов энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5 емкостью 16 Гбит. Помимо рекордной вместительности, производителем была заявлена самая высокая производительность изделия в своем классе.

При заявленной скорости в 6400 Мбит/сек новинка примерно на 16% быстрее 12-гигабитных LPDDR5 (5500 Мбит/сек), которые применяются в большинстве современных «флагманов». В упаковке 16 ГБ такая память, как отмечают в Samsung, может обеспечить передачу 51,2 ГБ информации (эквивалент 10 фильмов формата Full HD размером 5 ГБ) за одну секунду.

На первенство в освоении стандарта также претендует и другой крупный производитель памяти – американская компания Micron. В первых числах февраля 2020 г. она начала поставки своим клиентам модулей LPDDR5 объемом 6, 8 и 12 ГБ с пропускной способностью 5500 Мбит/сек и 6400 Мбит/сек.

Micron также заявляла о планах до конца II квартала 2020 г. начать поставки мультичипового пакета uMCP5, который состоит из оперативной памяти LPDDR5 и флеш-памяти UFS, для использования в смартфонах среднего и флагманского уровня. Применение такого решения, по оценке компании, должно благотворно повлиять на производительность гаджетов и время их работы на одном заряде.