Электроника Алмазная микросхема Алмазная пластина Алмазная пленка

Алмазные пластины являются основой электронно-компонентной базы электроники и квантовой электроники нового поколения, не имея равных по своей способности рассеивать тепло в совокупности с рекордными электрическими параметрами. Увеличение производительности процессоров и выполняемых ими операций в течение секунды ограничено не только размером транзистора, но и количеством выделяемой теплоты на единицу объема. Алмаз, как материал электроники, решает в том числе одну из наиболее распространенных проблем - перегрева устройств.

Теплопроводность алмаза больше в четыре раза, чем у карбида кремния и более, чем в 10 раз выше, чем у нитрида галия, что обеспечивает для электроники на алмазе возможность работы на более высоких частотах и высоких плотностях мощности. При этом за счет рекордных электрических свойств спектр применения алмазных подложек (пластин), практически не ограничен для создания более компактной и мощной электроники, что делает его одним из самых востребованных новых материалов для применения в цифровой микроэлектронике, СВЧ электронике (радиоэлектронике и радиофотонике), силовой и квантовой электронике.

Согласно совместному исследованию Института прикладной физики РАН и университета «ЛЭТИ», в микроэлектронике на данный момент около 85% полупроводниковых пластин (подложек) являются кремниевыми. С ростом количества вычислений, производимых процессорами, растет нагрев кремниевой подложки. Это приводит к уменьшению объема вычислений, которые может производить процессор и замедлению его работы. Основной альтернативой кремниевым полупроводникам в направлениях, требующих больших мощностей или высоких частот для работы (облачные, квантовые вычисления) будут выступать широкозонные полупроводники (карбид кремния, нитрид галлия и искусственно выращенные алмазы).