Разделы

Цифровизация Электроника Техника

В Китае создается замена сверхбыстрой памяти HBM, которую использует в передовых ускорителях Nvidia

В Китае, опасаясь дальнейшего ужесточения санкций США против технологического сектора страны, разрабатывают альтернативу памяти со сверхвысокой пропускной способностью, которая используется в передовых GPU вроде Nvidia H100. Наибольшие шансы на успех имеет крупнейший производитель DRAM КНР компания ChangXin Memory Technologies, но работы могут занять до четырех лет.

В Китае создают аналог HBM

В Китае ведется разработка компьютерной памяти с высокой пропускной способностью, аналога технологии HBM (High Bandwidth Memory), применяемой в сферах высокопроизводительных вычислений и искусственного интеллекта, пишет South China Morning Post (SCMP).

По информации источников издания в отрасли, наибольших успехов на данном направлении удалось добиться компании ChangXin Memory Technologies (CXMT). Вывода на рынок готового продукта, по их мнению, следует ожидать в течение ближайших четырех лет.

CXMT – ведущий отечественный производитель динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) в КНР. От конкурентов на внутреннем рынке компанию отличает обладание мощной производственной базой и доступом к сравнительно современным по меркам индустрии DRAM технологическим процессам (17-19 нм). Компания намерена провести первичное размещение акций в 2023 г. и рассчитывает в ходе IPO выручить $14,5 млрд.

Как отмечает SCMP, выпуск устройств на базе HBM возможно наладить без освоения наиболее передовых технологических процессов, с доступом к которым у компаний из КНР из-за санкционных ограничений со стороны США. Основную трудность в деле производства HBM-памяти представляет упаковка микросхемы в силу применения в ней многослойной компоновки. Впрочем, в Китае есть несколько компаний, располагающих сравнительно «продвинутыми» технологиями в этой сфере, к примеру, Jiangsu Changjiang Electronics Technology.

Несмотря на ограничения в доступе к технологиям, источники SCMP считают, что CXMT вполне способна наладить производство памяти, подобной HBM.

Фото: FreePik
В Китае разрабатывают аналог HBM

CMXT не ответила на вопросы SCMP, касающиеся разработки китайской альтернативы технологии HBM.

HBM в составе востребованных GPU Nvidia

Лидером в сфере производства HBM принято считать южнокорейскую компанию SK Hynix, на долю которой приходится более 50% глобальных продаж в этой категории. Другие заметные игроки на этом рынке – Samsung Electronics и Micron Technologies.

Разработку актуального поколения памяти HBM – HBM3 – SK Hynix завершила в октябре 2021 г., а массовое производство устройств памяти начала в июне 2022 г. В своих промо-материалах SK Hynix называла необходимым компонентом систем автономного вождения четвертого и пятого уровней.

Высокоскоростная память HBM3 с пропускной способностью в 3 ТБ/с используется компанией Nvidia в передовых графических процессорах H100 на базе архитектуры Hopper, анонсированных в конце марта 2022 г.

Экспорт этих GPU в Китай ограничен по решению властей США, поэтому Nvidia поставляет своим клиентам из КНР «урезанную» версию ускорителя – H800, которая пользуется огромным спросом.

Запуск производства HBM3E не за горами

В августе 2023 г. SK Hynix заявила о завершении разработки новой памяти стандарта HBM3E. Компания разослала образцы нового продукта своим партнером для проведения первичной оценки его характеристик.

ИТ-директор «Ленты» Сергей Сергеев в интервью CNews: Пустуют целые ниши необходимых ритейлерам ИТ-продуктов на российском рынке
ритейл

Старт массового производства HBM3E компанией SK Hynix намечен на первую половину 2024 г., однако крупные американские технологические фирмы вроде AMD и Nvidia, по информации SCMP, уже выразили намерение приобретать новый продукт.

Согласно прогнозу аналитиков TrendForce, спрос на микросхемы памяти HBM вырастет на 60% по итогам 2023 г.

Санкции США против полупроводниковой отрасли КНР

В октябре 2022 г. Минторг США с подачи администрации президента Джозефа Байдена (Jospeh Biden) ужесточил правила поставок в КНР полупроводников, при разработке которых были использованы американские технологии.

В частности, предусматривалось введение ограничений на производительность поставляемой в Китай полупроводниковой продукции. В качестве метрики была выбрана такая характеристика интегральной микросхемы как скорость двунаправленной передачи данных (bidirectional transfer rate; BTR). Экспорт в КНР полупроводниковой продукции, параметры производительности которой превышает установленные властями США пределы, без получения специальной лицензии отныне был запрещен.

Помимо уже упомянутой Nvidia, на ухищрения, предполагающие модификацию собственной продукции ради сохранения клиентов из Китая, пошли Intel и нидерландская ASML. Крупнейший в мире производитель литографического оборудования будет отгружать ухудшенную на заводе аппаратуру для производства интегральных микросхем.

Как отмечает Tom’s Hardware китайские производители GPU, такие как Biren, пока имеют возможность приобретать память HBM2E (используется, в частности, в ускорителях предыдущего поколения Nvidia A100) напрямую у ведущих производителей DRAM. Однако власти США в любой момент могут ограничить ее экспорт в КНР, поэтому собственные технологии производства аналога HBM стране просто необходимы.

Дмитрий Степанов