Разделы

Техника Маркет

Рухнули все планы Samsung по захвату рынка 3-нанометровых микросхем

Samsung вынуждена перенести начало работы конвейера по производству 3-нанометровых микросхем с 2021 г. на 2022 г. Из-за пандемии коронавируса она не успевает оснастить завод необходимым оборудованием, как и компания TSMC, тоже готовящаяся к переходу на 3 нм и тоже отсрочившая его минимум до 2022 г.

Еще один год без новых процессоров

Компания Samsung перенесла сроки перехода на 3-нанометровый техпроцесс производства микросхем и процессоров. Первоначально запуск линии был запланирован на 2021 г., пишет ресурс PhoneArena, теперь же он назначен на 2022 г.

Причиной переноса стала пандемия коронавируса, отнявшая у Samsung целый год несмотря на то, что у нее на момент публикации материала был готов прототип новых транзисторов GAAFET, которые будут использоваться в 3-нанометровых чипах. Компания не успевает развернуть новую производственную линию и произвести наладку необходимого для ее работы оборудования в срок.

sam600.jpg
Более производительные мобильные чипы задержатся минимум на год из-за коронавируса

GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) – это транзистор с горизонтальным расположением каналов и круговым затвором, она придет на смену актуальной технологии FinFET (она подразумевает использование полевого транзистора «плавникового» типа) с вертикально расположенными каналами. Одна из особенностей технологии заключается в том, что затвор в транзисторах GAAFET опоясывает канал со всех сторон, тогда как в FinFET он окружает его с трех сторон из четырех. Последнее приводит к росту токов утечки, что исключено в GAAFET.

Преимущество новой топологии

За счет более эффективной конструкции 3-нанометровых транзисторов GAAFET они обеспечивают существенный прирост производительности на один ватт энергии в сравнении как семи-, так и с 5-нанометровыми FinFET. По сравнению с 5 нм, согласно подсчетам самой Samsung, 3-нанометровые процессоры смогут обеспечить 30-процентный прирост производительности при меньшем на 50% потреблении энергии.

Напомним, что Samsung приступила к активному освоению пяти нанометров во II квартале 2019 г. Тем не менее, в настоящее время самые ее высокопроизводительные чипы, включая флагманский Exynos 990, выпускаются по 8- и 7-нанометровым нормам.

По данным ресурса TechPowerUp, GAAFET может в итоге оказаться набором технологий, объединенных под общим названием. В производстве новых процессоров Samsung планирует использовать и технологию Multi Bridge Channel FET, которая позволит размещать транзисторы один над другим, позволяя увеличить их количество на той же площади кристалла в сравнении с FinFET. В сравнении с 7-нанометровой топологией FinFET новый техпроцесс способен обеспечить 45-процентное сокращение площади микросхем.

Конкуренты тоже опаздывают

Над переходом на 3-нанометровый техпроцесс трудится не только Samsung, но и тайваньская компания TSMC, один из основных производителей разного рода микросхем. В частности, выпуском процессоров AMD в настоящее время занимается именно она.

Как сообщал CNews, изначально TSMC собиралась наладить выпуск 3-нанометровых чипов в 2021 г. или, в крайнем случае, в 2022 г. в корпусе Phase 3 своей фабрики Fab 18. Теперь же сроки перенесены на 2022-2023 гг., и точную дату запуска линии тайваньский вендор не называет, как и технологию, на которой основан ее новый техпроцесс

В России хотят цифровизировать социальную помощь. Что уже сделано государством?
Интеграция

В итоге, Samsung и TSMC могут практически одновременно начать выпуск 3-нанометровых чипов, но у TSMC еще есть шанс вырваться вперед с более современной топологией – 2 нм. К ее освоению она приступила еще в июне 2019 г., и на момент публикации материала она не сообщала о переносе сроков начала ее эксплуатации в производстве.

По подсчетам аналитиков компании, сделанным летом 2019 г., новая 2-нанометровая линия может заработать в 2024 г., и речь идет именно о полномасштабном производстве, тогда как тестовый запуск может быть осуществлен в 2023 г. Строительство производственных линий может начаться в 2022 г., если в планы TSMC не вмешается коронавирус.

Пока хватит и пяти нанометров

Задержка с переходом на 3-нанометровые нормы не отразится на старте производства 5-нанометровых процессоров. Samsung и TSMC собираются начать их выпуск до конца II квартала 2020 г.

Одним из первых чипов с техпроцессом 5 нм, по данным ресурса PhoneArena, станет A14, который компания Apple установит в свои смартфоны линейки iPhone 12 (предварительное название), и вслед за ним китайский вендор Huawei выпустит собственный флагманский процессор Kirin 1012 (название не утверждено) и смартфоны линейки Mate 40 на его основе.

iPhone 12 Pro станет одним из первых смартфонов на 5-нанометровом чипе в мире

Huawei и Apple могут представить свои новые процессоры начале осени 2020 г., как они поступали с предыдущими моделями, а к концу года к ним может присоединиться и компания Qualcomm. Свои новые флагманские CPU она показывает ежегодно в декабре, и дебют Snapdragon 875, тоже 5-нанометрового, может состояться в конце 2020 г. Первые оснащенные им смартфоны могут выйти в I квартале 2021 г.

Эльяс Касми

Короткая ссылка