Поделиться
Samsung выпустила «самую быструю в отрасли» память для ЦОДов
Новое решение Samsung под названием Flashbolt соответствует спецификации HBM2E и обеспечивает скорость передачи данных 3,2 Гбит/с на 1 канал, что на 33% быстрее HBM2 предыдущего поколенияБыстрее предшественника на треть
Samsung Electronics анонсировала начало производства памяти с высокой пропускной способностью стандарта High Bandwith Memory 2 (HBM2), которая получила коммерческое название Flashbolt.
Flashbolt, по заявлению Samsung, стала первым в мире продуктом, разработанным в соответствии со спецификацией HBM2E, что позволило добиться «лучшей в отрасли» скорости передачи данных в 3,2 Гбит/с на контакт, что на 33% быстрее памяти предыдущего поколения. Кроме того, Flashbolt имеет вдвое большую плотность по сравнению с образцами предыдущего поколения – 16 Гбит на кристалл. Поскольку один стек HBM2E содержит восемь кристаллов, его пропускная способность может достигать 410 ГБ/с.
Компания позиционирует Flashbolt как решение для центров обработки данных, искусственного интеллекта/машинного обучения, компьютерной графики и других ресурсозатратных задач. Действительно, конфигурация из четырех стеков с 4096-битным интерфейсом памяти позволит добиться весьма впечатляющих пропускной способности (порядка 1,64 ТБ/с) и емкости в 64 ГБ.
Для сравнения: ускоритель Nvidia Tesla V100 образца 2018 г., рассчитанный на использование в дата-центрах, может похвастаться наличием памяти HBM2 общей емкостью 32 ГБ и пропускной способностью 900 ГБ/с. Одна из наиболее «свежих» видеокарт компании AMD – Radeon VII – также оснащена памятью HBM2, обеспечивающей обмен данными со скоростью около 1 ТБ/с.
Samsung пока не раскрывает информацию о значении рабочего напряжения Flashbolt и технологию производства кристаллов DRAM. Также неизвестно, на каких графических ускорителях или FPGA будет использоваться новая память.
Об интерфейсе HBM
HBM — это высокопроизводительный интерфейс оперативной памяти, разработку которого при поддержке Hynix в 2008 г. начала AMD. Первыми устройствами, оснащенными этой памятью, стали видеокарты AMD на базе чипов архитектуры Fuji, в частности R9 Fury X, R9 Fury и R9 Nano. Технология HBM схожа с конкурирующей разработкой компании Micron под названием Hybrid Memory Cube.
Благодаря особенностям архитектуры HBM обеспечивает высокую пропускную способность, а также низкий расход энергии при компактных размерах устройства, хотя и отличается высокой стоимостью.
В памяти HBM кристаллы DRAM расположены вертикально на крайне малом расстоянии друг от друга. Располагается эта конструкция непосредственно на чипе GPU или CPU. Средством соединения такой конструкции, напоминающей многослойный торт, с центральным или графическим процессором служит специальная кремниевая подложка или интерпозер. Несколько стеков («стопок») памяти HBM подключаются к ней вместе с процессором, и этот модуль соединяется со схемной платой.
| Flashbolt | Aquabolt | Flarebolt | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Максимально возможная емкость | 16 ГБ | 8 ГБ | 8 ГБ | 4 ГБ | 8 ГБ | 4 ГБ |
| Пропускная способность на контакт | 3,2 Гбит/с | 2,4 Гбит/с | 2,0 Гбит/с | 2,0 Гбит/с | 1,6 Гбит/с | 1,6 Гбит/с |
| Число кристаллов в стеке | 8 | 8 | 8 | 4 | 8 | 4 |
| Рабочее напряжение | ? | 1,2 В | 1,35 В | 1,35 В | 1,2 В | 1,2 В |
| Пропускная способность стека | 410 ГБ/с | 307,2 ГБ/с | 256 ГБ/с | 256 ГБ/с | 204,8 ГБ/с | 204,8 ГБ/с |
Вторая версия HBM была стандартизирована в начале 2016 г. и чуть позднее Samsung начала производство памяти по данной технологии – новинка получила имя Flarebolt. В начале 2018 г. свет увидел второе поколение восьмигигабайтной HBM2, выпущенной Samsung под брендом Aquabolt. Память обеспечивала в 9,6 раза более высокую производительность по сравнению с тогдашней производительностью DRAM (GDDR5).
Короткая ссылка
