Спецпроекты

Samsung выпустила «самую быструю в отрасли» память для ЦОДов

Интеграция Электроника Техника
Новое решение Samsung под названием Flashbolt соответствует спецификации HBM2E и обеспечивает скорость передачи данных 3,2 Гбит/с на 1 канал, что на 33% быстрее HBM2 предыдущего поколения

Быстрее предшественника на треть

Samsung Electronics анонсировала начало производства памяти с высокой пропускной способностью стандарта High Bandwith Memory 2 (HBM2), которая получила коммерческое название Flashbolt.

Flashbolt, по заявлению Samsung, стала первым в мире продуктом, разработанным в соответствии со спецификацией HBM2E, что позволило добиться «лучшей в отрасли» скорости передачи данных в 3,2 Гбит/с на контакт, что на 33% быстрее памяти предыдущего поколения. Кроме того, Flashbolt имеет вдвое большую плотность по сравнению с образцами предыдущего поколения – 16 Гбит на кристалл. Поскольку один стек HBM2E содержит восемь кристаллов, его пропускная способность может достигать 410 ГБ/с.

Компания позиционирует Flashbolt как решение для центров обработки данных, искусственного интеллекта/машинного обучения, компьютерной графики и других ресурсозатратных задач. Действительно, конфигурация из четырех стеков с 4096-битным интерфейсом памяти позволит добиться весьма впечатляющих пропускной способности (порядка 1,64 ТБ/с) и емкости в 64 ГБ.

amdhbm600.jpg
Samsung анонсировала начало производства памяти с высокой пропускной способностью стандарта Flashbolt

Для сравнения: ускоритель Nvidia Tesla V100 образца 2018 г., рассчитанный на использование в дата-центрах, может похвастаться наличием памяти HBM2 общей емкостью 32 ГБ и пропускной способностью 900 ГБ/с. Одна из наиболее «свежих» видеокарт компании AMD – Radeon VII – также оснащена памятью HBM2, обеспечивающей обмен данными со скоростью около 1 ТБ/с.

Samsung пока не раскрывает информацию о значении рабочего напряжения Flashbolt и технологию производства кристаллов DRAM. Также неизвестно, на каких графических ускорителях или FPGA будет использоваться новая память.

Об интерфейсе HBM

HBM — это высокопроизводительный интерфейс оперативной памяти, разработку которого при поддержке Hynix в 2008 г. начала AMD. Первыми устройствами, оснащенными этой памятью, стали видеокарты AMD на базе чипов архитектуры Fuji, в частности R9 Fury X, R9 Fury и R9 Nano. Технология HBM схожа с конкурирующей разработкой компании Micron под названием Hybrid Memory Cube.

Благодаря особенностям архитектуры HBM обеспечивает высокую пропускную способность, а также низкий расход энергии при компактных размерах устройства, хотя и отличается высокой стоимостью.

В памяти HBM кристаллы DRAM расположены вертикально на крайне малом расстоянии друг от друга. Располагается эта конструкция непосредственно на чипе GPU или CPU. Средством соединения такой конструкции, напоминающей многослойный торт, с центральным или графическим процессором служит специальная кремниевая подложка или интерпозер. Несколько стеков («стопок») памяти HBM подключаются к ней вместе с процессором, и этот модуль соединяется со схемной платой.

Сравнение поколений памяти типа HBM, выпускаемой Samsung

Flashbolt Aquabolt Flarebolt
Максимально возможная емкость 16 ГБ 8 ГБ 8 ГБ 4 ГБ 8 ГБ 4 ГБ
Пропускная способность на контакт 3,2 Гбит/с 2,4 Гбит/с 2,0 Гбит/с 2,0 Гбит/с 1,6 Гбит/с 1,6 Гбит/с
Число кристаллов в стеке 8 8 8 4 8 4
Рабочее напряжение ? 1,2 В 1,35 В 1,35 В 1,2 В 1,2 В
Пропускная способность стека 410 ГБ/с 307,2 ГБ/с 256 ГБ/с 256 ГБ/с 204,8 ГБ/с 204,8 ГБ/с

Вторая версия HBM была стандартизирована в начале 2016 г. и чуть позднее Samsung начала производство памяти по данной технологии – новинка получила имя Flarebolt. В начале 2018 г. свет увидел второе поколение восьмигигабайтной HBM2, выпущенной Samsung под брендом Aquabolt. Память обеспечивала в 9,6 раза более высокую производительность по сравнению с тогдашней производительностью DRAM (GDDR5).



Событие месяца

CNews FORUM 2019 прошел с рекордным успехом

- Более 1,5 тысяч гостей     - 100 экспертных докладов   - 50 инновационных стендов

Стратегия месяца

Зачем государство ввязалось в гонку технологических вооружений

Михаил Замыцкий

директор по развитию «Ситилинк»