Разделы

Цифровизация Электроника Техника

Toshiba выпустила сверхбыструю флеш-память нового типа

Toshiba выпустила флеш-память с интерфейсом UFS 3.0 на базе 3D NAND. Однокорпусные изделия емкостью 128, 256 и 512 ГБ быстрее устройств предыдущего поколения на 80%.

Toshiba начинает производство памяти UFS 3.0

Toshiba представила первую в мире флеш-память с интерфейсом Universal Flash Storage (UFS) 3.0 для смартфонов, планшетов и устройств виртуальной или дополненной реальности.

Чипы содержат кристаллы новейшей 96-слойной трехмерной памяти BiCS Flash (3D NAND). Размеры готового продукта, также включающего и контроллер, составляют 11,5 х 13 мм, а емкость может составлять 128, 256 или 512 ГБ. Контроллер поддерживает исправление ошибок, выравнивание массивов данных, трансляцию логических адресов в физические, а также управление неисправными ячейками. Наличие этих возможностей значительно упрощает разработку новых устройств.

Микросхемы памяти соответствуют стандартам JEDEC UFS 3.0 и HS-GEAR4, которые устанавливают верхний предел пропускной способности интерфейса в 11,6 Гбит/сек на линию. Таким образом, при наличии стандартных двух линий максимальная скорость шины может достигать 23,2 Гбит/сек.

Toshiba выпустила первые коммерческие образцы флеш-памяти с интерфейсом UFS 3.0

Toshiba не называет конкретных данных по скорости работы новых чипов, но отмечает, что 512 ГБ вариант способен осуществлять чтение и запись данных быстрее устройств предыдущих поколений на 70% и 80% соответственно.

Появления первых смартфонов c новой памятью Toshiba следует ожидать в 2019 г.

Ставка на UFS

Toshiba можно назвать пионером в области производства памяти стандарта UFS. Именно эта компания первой в 2013 г. освоила производство микросхем флеш-памяти данной спецификации.

В последние годы технология UFS набирает популярность среди производителей смартфонов. По сравнению с наиболее распространенным в индустрии стандартом eMMC, UFS обеспечивает более высокую производительность и низкий уровень энергопотребления, но из-за высокой стоимости в основном применяется в дорогостоящих флагманских моделях гаджетов.

Некоторые компании, в частности Samsung, также выпускают внешние карты памяти с интерфейсом UFS. Внешне они мало отличаются от привычных карт MicroSD (отличаются расположением контактов), но обеспечивают сопоставимую с твердотельными накопителями (SSD) начального уровня производительность. Так, в 2016 г. Samsung выпустила первую карту памяти, выполненную по технологии UFS, которая достигала скоростей порядка 530/250 МБ/сек при последовательном чтении/записи, что действительно впечатляло на фоне MicroSD карт того времени, едва дотягивающих до 104 МБ/сек. Что касается операций произвольного доступа – здесь преимущество UFS-карт было еще более очевидным: память Samsung демонстрировала около 40 000/35 000 IOPS (Input/Output Operations Per Second – «число операций ввода/вывода в секунду»), тогда как MicroSD упирались в «потолок» 2 000 IOPS.

Технология SD Express

В июне 2018 г. SD Card Association, некоммерческая организация, занимающаяся разработкой стандартов карт памяти, представила новую спецификацию под названием SD Express.

Как власти сэкономят 109 млрд руб. на создании инфраструктуры для дронов и обеспечении защиты от них
Техника

По заявлению разработчиков, SD-карты, выпущенные согласно данной спецификации, смогут обеспечить хранение до 128 ТБ данных (стандарт SDUC – SD Ultra Capacity), а максимальная скорость передачи данных составит до 985 МБ/сек.

Для сравнения: такой емкости достаточно, чтобы сохранить около 29 тыс. фильмов в формате Full HD, порядка 16 млн музыкальных композиций в формате mp3 или 26 млн фотографий среднего качества.

Добиться столь внушительного прогресса ассоциации удалось благодаря интеграции интерфейсов PCIe и NVMe в карты нового поколения. NVMe – спецификация на протоколы доступа к твердотельным накопителям (SSD), подключенным по высокоскоростной шине PCI Express (PCIe). Устройства с поддержкой NVMe характеризуются низким уровнем задержек, эффективным использованием высокого параллелизма твердотельных накопителей, оптимизированного для функционирования под управлением многоядерных процессоров.

Дмитрий Степанов