Поделиться
Российскую силовую электронику будут делать на кремниевых пластинах из Китая. Отечественные могут появиться позже
Россия будет производить силовую электронику на азиатских кремниевых пластинах. В стране их производство, возможно, так и не будет создано. Это дорого и может оказаться экономически неэффективным.
Силовая кооперация
Как выяснил CNews, российское производство силовой электроники будет зависеть от азиатских производителей пластин кремния. Об этом на форуме «Микроэлектроника» сообщил руководитель проектной группы Центра перспективной электроники Виталий Бормашов.
«Несмотря на то, что не текущий момент Минпромторгом профинансировано достаточно большое количество работ по созданию полупроводникового кремния для силовой электроники, — отметил Бормашов. — На текущий момент до конца производственная цепочка так и не сделана. И скорее всего, она и не будет сделана».
Поэтому фабрики, которые будут запущены по проекту «Кубик» и «ГаН» будут ориентированы на китайские и малазийские кремниевые пластины.
Бормашов предложил сформировать аванпроект для решения проблемы создания конкурентного масштабируемого производства кремния для силовой электроники.
Как пояснил CNews собеседник среди производителей, в России создавать такое производство дорого и экономически неэффективно. «Это еще миллиарды рублей инвестиций. Однако тут вопрос не в экономике, а в суверенитете», — отметил он.
Мнения разделились
Несмотря на то, что руководитель проектной группы Центра перспективной электроники сообщил, что высока вероятность отсутствия в России такого производства. Представители «Элемента» сообщили, что стремятся к созданию производства полного цикла.
«И для "Кубика", и для GaN уже сейчас реализуются проекты по созданию производства материалов для подложек, разработке оборудования и участков для эпитаксии пластин, — отметил представитель группы. — Таким образом, к моменту выхода проектов на серийное производство они будут обеспечены необходимыми материалами».
«ГАН» и «Кубик»
Проектом «ГАН» и «Кубик» занимаются предприятия группы «Элемент». В июле 2025 г. сообщалось, что «Элемент» инвестирует 4,4 млрд рублей в производство силовых транзисторов на нитриде галлия. Нитрид галлия (GaN) — современный полупроводниковый материал, который благодаря своим свойствам позволяет создавать транзисторы, работающие при более высоких температурах, на более высоких частотах, с большей плотностью мощности и энергоэффективностью, чем приборы на основе кремния.
Проект будет запущен на базе одного из ведущих предприятий группы НИИ электронной техники (НИИЭТ) в Воронеже.
Реализация проекта позволит дополнить существующие мощности НИИЭТ по сборке СВЧ- и силовых переключающих GaN-транзисторов кристальным производством электронных компонентов по технологии нитрида галлия и создать первое в России производство нитрид галлиевых транзисторов полного цикла.
Проектная мощность нового кристального производства составит 5,5 тыс. пластин в 200-мм эквиваленте в год. Планируется, что производство транзисторов будет запущено в 2028 г.
Проект реализуется с использованием льготного финансирования, предоставленного Фондом развития промышленности (ФРП) и Сбером.
«Кубик» подразумевает запуск на заводе «Микрон» производства силовых компонентов: транзисторов и диодов из кремния и карбида кремния, выяснил «Коммерсант».
Сроки начала производства не уточняются. В «Элементе» рассчитывают к 2030 г. вывести его на проектную мощность 100 тыс. пластин на кремнии и 40 тыс. пластин на карбиде кремния и обеспечить до 60% спроса в России.
Короткая ссылка
