Поделиться
На освоение выпуска материалов для производства чипов власти потратили 2 миллиарда за год. Половина ушла на лазеры
МНТЦ МИЭТ представил результаты работ по освоению производства материалов для микроэлектроники. Было запущено несколько работ почти на 2 млрд руб. Более 1,5 млрд будет потрачено в 2025 г.
Миллиард на материалы
Как выяснил CNews, в 2024 г. было запущено пять опытно-конструкторских работ (ОКР) для освоения восьми материалов, необходимых для производства микроэлектроники. Сумма работ составила 1,99 млрд руб. Это следует из презентации МНТЦ МИЭТ «Развитие функциональных материалов для микроэлектроники в рамках программы электронного машиностроения».
Большая часть средств (1 млрд руб.) ушла на ОКР «Гелиос», которую выполняет ООО НПП «Инжект». Она подразумевает постановку на производство квантоворазмерных гетероэпитаксиальных структур на подложках GaAs (арсенида галлия) для изготовления лазеров, используемых в качестве накачки твердотельных лазеров в спектральных диапазонах (0,9-0,99) и (0,75-0,9) мкм.
Следом по стоимости идет ОКР «Вектор-150», которая подразумевает освоение производства слитков и полированных пластин кремний монокристаллического, полученного по методу бестигельной зонной плавки и нейтронно-трансмутационно легирования (150 мм). Ею занимается «НИИП» Росатома за 400 млн руб.
Чуть менее (350 млн руб.) стоит ОКР по постановке на производство особо чистой ртути. Занимается «Медстандарт». И по 70 млн руб. выделено на разработку особо чистых висмута и вольфрама.
Ход работ по освоению материалов
В 2025 г. будет запущено шесть опытно-конструкторских работ (ОКР) по освоению материалов для производства микроэлектроники. 12 работ были уже запущены. Еще 126 ОКР будут запущены в 2026-2029 гг.
В 2024 г. к поставке были готовы только 5 материалов, в 2025 г. — должно быть 28. В 2026 г. их количество увеличится до 83, а в 2027 г. — до 122. К 2030-2032 гг. планируется освоить уже 264 материала.
В 2025 г. будет организовано производство гетероэпитаксиальной структуры фоточувствительным эпитаксальным слоев кадмий-ртуть-теллур, легированным золотом, для высокотемпературных матричных фотоприемных устройств с областью спектральной чувствительности от 3 до 5 мкм и от 8 до 12 мкм («Гидермет». Входит в Росатом, 288 млн руб.).
Также будет организовано производство активных лазерных элементов на основе монокристалических материалов (НИИ «Инжект», 288 млн руб.). И структуры на основе высокоомного арсенида галлия компенсированного хромом для цифровых мультикристальных матричных детекторов рентгеновских цветовых изображения, применяемых в промышленности, медицине и научных исследованиях («Финатомпром», 430 млн руб.). Также планируется освоение технологии изготовления графеновых наноматериалов для применения в оптика-электронных компонентах (579 млн руб., «Сканда рус») и др.
Что было сделано
В 2024 г. было организовано производства полированных пластин полуизолирующего и легированного арсенида галия (НИИМВ, работы за 180 млн руб.). Также запущено серийное производство лазерных оптических изоляторов на основе монокристаллов тербий-галлиевого граната для лазерных приборов и устройств (НИИМВ, 135 млн руб.).
Разработан выпуск кремниевых структур со сквозными каналами р-типа, получаемыми методом жидкофазной эпитакции в поле температурного градиента (ВЗПП-Микрон, 102 млн руб.). «Группа кремний Эл» завершила разработку технологии изготовления кремниевых структур с полной диэлектрической изоляцией на основе «тренч»-технологий, и КСДИ-пластин со сниженным разбросом толщин рабочих слоев, и возможностью изготовления уменьшенной глубины карманов, организация их серийного выпуска за 400 млн руб.
Короткая ссылка
