IBM представила самый мощный в мире сервер
Корпорация IBM, которая, согласно исследованиям компании IDC, занимает первое место в мире по доходам в секторе
IBM также представила крупное достижение в области виртуализации новый программный продукт IBM Tivoli Usage and Accounting Manager (ITUAM). С помощью инструмента ITUAM поставщики услуг аутсорсинга и
Новый сервер IBM System p5 595, которому принадлежат высшие достижения в пяти ключевых отраслевых тестах, позволяет организации увеличить операционную эффективность своей
В новых системах используется передовая технология виртуализации IBM Virtualization Engine, поддерживающая до 10 виртуальных серверов или разделов на каждое процессорное ядро. Это позволяет заказчику консолидировать на одном сервере большое число систем и распределенных приложений и даже всю
Одним из самых важных достижений в технологиях процессоров за несколько последних лет является технология Dual Stress, обеспечивающая радикальное повышение производительности сервера. Впервые представленная в прошлом году технология Dual Stress, первоначально разработанная корпорацией IBM для передовых игровых консолей, преодолевает фундаментальные трудности, которые затрудняют работу проектировщиков процессоров с момента зарождения полупроводниковой индустрии. Ученые изобрели метод одновременного натяжения и сжатия кремния, обеспечивающий скачкообразное повышение производительности системы и снижение энергопотребления. Этот революционный процесс обеспечивает до 24% прироста скорости транзисторов при том же уровне энергопотребления, что и у аналогичных транзисторов, изготавливаемых без использования этой технологии. Технология Dual Stress может также применяться с целью снижения энергопотребления.
Более быстрые и более энергетически эффективные транзисторы являются функциональными блоками для построения высокопроизводительных процессоров с пониженным энергопотреблением. По мере того как их размеры уменьшаются, транзисторы начинают работать быстрее, однако при этом возрастает и вероятность отказа
Технология Dual Stress улучшает характеристики полупроводниковых транзисторов как на основе структур с каналом