Спецпроекты

Toshiba Memory Europe представила память XL-FLASH класса хранилища

Интеграция Электроника

Toshiba Memory Europe (TME) объявила о запуске в производство нового решения в области памяти класса хранилища (Storage Class Memory, SCM) — XL-FLASH . Оно создано на основе собственной инновационной технологии TME — 3D-флеш-памяти BiCS FLASH с размещением 1 бита данных в ячейке (SLC) — и обеспечивает низкую задержку и высокую производительность, востребованные в дата-центрах и корпоративных хранилищах данных.

Решение XL-FLASH, представляющее собой память класса хранилища, или энергонезависимую память, способно сохранять содержимое аналогично флеш-памяти NAND и устраняет разрыв в производительности между памятью типов DRAM и NAND. Энергозависимая память, в том числе DRAM, обеспечивает необходимую скорость доступа к данным для работы приложений с высокими требованиями, но такая производительность связана с высокими затратами. Когда стоимость DRAM-решений в расчете на бит данных становится слишком высокой, а возможности масштабирования сходят на нет, SCM-уровень в иерархии запоминающих устройств позволяет решить эту проблему, предлагая экономически эффективное решение в виде энергонезависимой флеш-памяти NAND с высокой плотностью хранения данных. Аналитическая компания IDC прогнозирует расширение рынка SCM-устройств до более чем 3 миллиардов долларов США в 2022 году.

Занимая нишу между DRAM и флеш-памятью NAND, решение XL-FLASH обеспечивает рост скорости, снижение задержки и увеличение объемов устройств хранения данных при более низкой стоимости по сравнению с традиционной DRAM-памятью. XL-FLASH будет первоначально выпускаться в формате SSD, но впоследствии может быть реализовано и в формате устройств, подключенных к каналу памяти на шине DRAM, таких как энергонезависимые двухрядные модули памяти (NVDIMM), которые должны в будущем стать промышленным стандартом.

Основные особенности: кристалл емкостью 128 гигабит (Гб) (модуль из 2, 4 или 8 кристаллов); размер страницы 4 КБ для повышения эффективности чтения и записи операционной системой; 16-секционная архитектура для более эффективной параллельной работы; низкое время чтения и программирования страниц: память XL-FLASH обладает низкой задержкой чтения — менее 5 микросекунд, что примерно в 10 раз быстрее по сравнению с существующей памятью TLC.

В качестве создателя флеш-памяти NAND, первой компании, представившей технологию 3D-флеш-памяти, и лидера по смене технологических процессов, компания Toshiba Memory находится в максимально благоприятных условиях для выпуска SCM-устройств на основе памяти SLC, обладая сформировавшейся производственной инфраструктурой, отработанной масштабируемостью и проверенной временем надежностью выпускаемой памяти SLC.

«XL-FLASH — самое высокопроизводительное выпускаемое сегодня NAND-решение благодаря нашей флеш-памяти BiCS FLASH, работающей в режиме SLC, — отметил Аксель Штёрманн (Axel Stoermann), вице-президент компании Toshiba Memory Europe. — Размещая в ячейке только один бит, нам удалось значительно повысить производительность. А поскольку память XL-FLASH основана на проверенных технологиях, которые уже используются в серийном производстве, применяя XL-FLASH в качестве решения в сфере памяти класса хранилища наши клиенты смогут сократить время вывода продукции на рынок».

Поставки ознакомительных образцов начнутся в сентябре 2019 г., а начало серийного производства запланировано на 2020 г.



Профиль месяца

Банки должны переходить на односкоростную архитектуру

Дмитрий Гарбар

управляющий директор компании «Новая Афина»

Тема месяца

Почему программные роботы стали вдруг так популярны?

В связке с ИИ они способны выполнять контрольные и управленческие функции.