Поделиться
AMD представит свои технические достижения на конференции IEDM 2002
Желая продемонстрировать свои успехи в научно-исследовательских работах в области полупроводников, AMD представит несколько новых технических достижений, которые должны сыграть важную роль в создании транзисторов следующего поколения и ячеек памяти, на ежегодной международной конференции разработчиков электронных устройств (IEDM), проходящей в Сан-Франциско 8-11 декабря. Предметы этих исследований найдут свое применение в продуктах AMD уже в 2005 году.На IEDM AMD представит три документа, описывающих недавние достижения в непрерывном процессе исследований структуры транзисторов будущего. AMD осветит подробности разработок, проводимых совместно с Калифорнийским университетом Беркли, которые касаются нового типа транзисторов, способного заменить сегодняшние плоские транзисторы, являющиеся промышленным стандартом для производства высокопроизводительных микросхем.
Эта технология в полупроводниковой промышленности известна под названием "ребристого транзистора с полевым эффектом" (Fin Field Effect Transistor - FinFET), она использует вертикальное кремниевое ребро для получения двух затворов транзистора вместо одного. Это позволяет вдвое увеличить силу тока, проходящего через транзистор, и улучшает характеристики скорости переключения транзистора. Такая эффективная и практическая конструкция позволяет увеличить быстродействие и уменьшить размеры чипа, при этом сохраняя высокую степень технологичности конструкции с использованием существующих методов производства.
В сентябре 2002 года AMD уже демонстрировала транзистор FinFET с длиной затвора 10 нм, что в 5 раз меньше параметров самого маленького транзистора, выпускаемого сегодня.
AMD также представит две научных работы, свидетельствующие об успехе компании в получении транзисторов с металлическим затвором, в то время как сегодня стандартным материалом является поликристаллический кремний. Эта разработка нацелена на увеличение производительности транзисторов для технологического процесса, планируемого компанией к использованию в 2005 г. Эта технология с применением никелевого затвора позволяет достичь увеличения быстродействия транзистора за счет оптимизации электрических потоков, проходящих через транзистор. При правильном внедрении металлический затвор позволит избавиться от сегодняшней практики размещения примесей в канале под затвором транзистора для достижения оптимальных характеристик переключения. Удаление этих примесей приводит к лучшим условиям прохождения тока, что в свою очередь увеличивает производительность транзистора. Никелевый затвор, как ожидается, обеспечит более низкую себестоимость производства процессоров по сравнению с другими технологиями металлических затворов, исследуемыми промышленностью.
AMD вместе со Стэнфордским университетом также представит документ, демонстрирующий новую структуру ячейки флэш-памяти, которая может использоваться для производства флэш-памяти по техпроцессу 65 нм и меньше.
Новая структура использует для хранения электрического заряда миниатюрные "нанопровода" из поликристаллического кремния, имеющие ширину всего 5 нм. При таких маленьких размерах ячейки памяти демонстрируют истинное квантово-механическое поведение, обеспечивая скорость стирания информации в несколько раз выше, чем обычные ячейки флэш-памяти, при этом поддерживая превосходную сохранность данных. Эта технология позволит размещать большие объемы памяти на одном чипе флэш-памяти, в то же самое время резко повышая быстродействие и снижая требуемую для процессов чтения/записи мощность.
Источник: по материалам сайта X-bit Labs.
Короткая ссылка
