Поделиться
Samsung разработал первый модуль DDR2 SDRAM на основе 70-нанометровой технологии
Компания Samsung Electronics объявила о разработке первого в мире 512-мегабитного чипа DDR2 SDRAM с применением 70-нанометрового технологического процесса — впервые применяемого для изготовления памяти DRAM. Новая 70-нанометровая технология подобна 80-нм и 90-нм процессам, в настоящее время используемым Samsung при производстве большинства видов памяти DRAM. Однако полезный выход чипов с одной пластины по меньшей мере на 100% выше, чем можно получить с помощью 90-нм технологии.Разработав в 2002 году субмикронный процесс производства DRAM, Samsung уже в следующем году представила его 80-нм версию, а вводимая ныне 70-нм технология знаменует новую индустриальную веху. Созданию нового 70-нм технологического процесса производства DRAM способствовал ряд фирменных инноваций, в том числе разработанная Samsung технология производства конденсаторов MIM (Metal-Insulator-Metal) и трехмерная архитектура транзисторов, известная как S-RACT (Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor).
Начало серийного производства модулей плотностью 512 Мбит, 1 Гбит и 2 Гбит по 70-нанометровой технологии запланировано на второе полугодие 2006 года.
В мае 2005 года исследовательская компания Gartner Dataquest опубликовала отчет, согласно которому мировой рынок DRAM в этом году достигнет объема $26,2 млрд. и продолжит рост до уровня $29,1 млрд. в 2008 году. Более того, готовящиеся к массовому производству игровые консоли следующего поколения, большинство новых мобильных 3G-телефонов и новую операционную систему Microsoft Vista считают ключевыми факторами, которые в будущем году подстегнут рыночный спрос. Ожидается, что новые разработки будут способствовать дальнейшей диверсификации и росту рынка DRAM во всем мире.
Короткая ссылка
