Samsung выпустила первые в мире 10 нм чипы

Техника
мобильная версия
, Текст: Валерия Шмырова
Samsung приступила к производству 10 нм чипов по технологии FinFET. Это первые в мире чипы с затвором в 10 нанометров. Вероятно, они будут использованы в смартфоне Galaxy S8, релиз которого должен состояться в начале 2017 г.>

Samsung запустила в производство 10-нм чипы

Samsung Electronics приступила к массовому производству 10 нм чипов с использованием технологии FinFET. Согласно сообщению компании, это первые в мире микросхемы, созданные в топологии 10 нм.

Компания сообщила, что чипы будут использованы при создании нового устройства, релиз которого состоится в начале 2017 г. Samsung не уточнила, что это будет за устройство, однако, скорее всего речь идет о смартфоне Galaxy S8.

Ранее корейское издание Electronic Times сообщало, что Samsung станет единственным подрядчиком по производству высокопроизводительных чипов Qualcomm Snapdragon 830 с применением 10-нм технологического процесса. Чипы будут использованы в половине смартфонов Galaxy S8.

Технические особенности

Samsung обещает, что 10 нм чипы будут на 27% более производительными, чем 14 нм. При этом потребление энергии снизится на 40%. Также на одной полупроводниковой плате можно будет разместить на 30% больше чипов.

Компания сообщила, что в производстве 10 нм чипов применяется метод тройного структурирования, то есть контур схемы трижды рисуется на плате перед нарезкой. Это помогает преодолеть масштабное ограничение при создании небольших по размеру схем.

Samsung Electronics приступила к массовому производству чипов в топологии 10 нм

В производство было запущено первое поколение 10 нм чипов, получившее название 10LPE. Во второй половине 2017 г. Samsung планирует начать выпуск второго поколения с повышенной производительностью под названием 10LPP.

Samsung внедряет FinFET

Компания выпустила свой первый процессор, выполненный по технологии FinFET, в январе 2015 г. Технология основана на использовании в микросхемах трехмерного затвора, имеющего форму плавника (англ. «fin»). Это позволяет повысить ширину затвора при сохранении площади ячейки. На основе FinFET производятся так называемые объемные транзисторы.

Samsung с начала 2015 г. выпускает чипы на базе технологии FinFET с затвором в 14 нм. Это позволило бренду начать применять решения премиального уровня в бюджетных устройствах.

В ноябре 2015 г. компания представила новый флагманский 8-ядерный процессор Exynos 8 Octa 8890 с 14 нм транзисторами FinFET. Это был первый чип с кастомизированными ядрами, разработанными компанией самостоятельно.

В августе 2016 г. Samsung приступила к массовому производству 14 нм процессора Exynos 7 Quad 7570 , а на днях запустила производство 14-нм процессора для носимых устройств по технологии FinFET Exynos 7 Dual 7270.