Поделиться
Intel представил сверхтонкую флэш-память для мобильников
На прошлой неделе. как стало известно, корпорация Intel представила серию устройств флэш-памяти, объединяющих в себе до пяти сверхтонких микросхем, способных значительно расширить объем памяти мобильных телефонных аппаратов при пониженном энергопотреблении и оптимальной компоновке. Беспроводные запоминающие устройства Intel StrataFlash в компактном корпусе типа Intel Ultra-Thin Stacked Chip-Scale Packaging (CSP), напряжение питания которых составляет всего 1,8 В, призваны облегчить проектировщикам решение задач по расширению функций относительно тонких мобильных телефонных аппаратов за счет возможностей фото и видеосъемки, компьютерных игр, обмена сообщениями по электронной почте.Одновременно корпорация Intel объявила о достижении рекордного объема поставок устройств флэш-памяти в 2 млрд. единиц, что можно расценить как убедительное подтверждение растущей роли таких устройств на рынке сотовой телефонии и беспроводной связи. Оба сообщения сделаны вице-президентом корпорации Intel и руководителем ее подразделения Flash Products Group Дарином Биллербеком (Darin Billerbeck) в докладе на проходящем в Токио Форуме Intel для разработчиков.
В основе миниатюрности многоуровневых решений Intel для беспроводного оборудования лежит сочетание низкого энергопотребления (1,8 вольта) устройств флэш-памяти Intel StrataFlash с новым, сверхкомпактным корпусом типа Intel Ultra-Thin Stacked-CSP. В одном устройстве флэш-памяти многоуровневой компоновки размещается до пяти кристаллов, при этом его высота не превышает 1,0 мм. Запоминающие устройства типа SRAM, PSRAM и LP-SDRAM работают на 16-ти или 32-разрядной шине. Объем памяти таких устройств, намеченных к выпуску в текущем году, составит до 512 Мбит, а в следующем году будет увеличена до 1 Гбит, что обеспечит бесперебойную работу массивных приложений для обработки данных одновременно с исполнением программного кода. Помимо этого, в устройствах будет применяться новейшая технология многоуровневой ячеистой флэш-памяти Intel. Многоуровневая ячеистая флэш-память (MLC), впервые представленная Intel еще в 1997 г., отличается удвоенным объемом данных, которые записываются в каждую ячейку памяти, а также повышенной плотностью компоновки и дешевизной таких устройств. Микросхемы Intel StrataFlash для беспроводного оборудования, работающие под напряжением 1,8 вольта и представляющие четвертое поколение технологии флэш-памяти Intel MLC, изготавливаются на основе самого передового производственного процесса – 0,13-микронной литографии. Первые в мире устройства флэш-памяти типа MLC, работающие под напряжением 1,8 вольта, обеспечивают существенный прирост производительности беспроводных аппаратов, наряду с пониженным энергопотреблением и увеличенным временем автономной работы, способствуя дальнейшей миниатюризации такого оборудования.
В настоящее время идут поставки опытных образцов устройств серии Intel Ultra-Thin Stacked-CSP на основе микросхем флэш-памяти Intel StrataFlash для беспроводного оборудования, работающих под напряжением 1,8 вольта. Начало массовых поставок намечено на третий квартал 2003 г. Цены устанавливаются в зависимости от конкретного типа микросхем оперативной и флэш-памяти.
Источник: пресс-релиз компании.
Короткая ссылка
