Поделиться
Toshiba и Infineon разработали FeRAM самой высокой плотности
Toshiba сообщила о завершении совместной разработки с Infineon Technologies чипа сегнетоэлектрической RAM (FeRAM), который, по предварительным оценкам характеризуется максимальным на данный момент объемом памяти.32-мегабитное устройство обладает так называемой “цепной” архитектурой ячеек, т.е. сегнетоэлектрический конденсатор и полевой транзистор (FET) расположены в рамках структуры параллельно, что обеспечивает большую плотность. Устройство создано на основе 0,2-микронной технологии.
Общая площадь чипа уменьшена до 96мм², т.е. вполовину по сравнению с традиционными чипами FeRAM, с ячейкой идентичного размера. Участок контроллера занимает 34% общей поверхности чипа, что, по заявлению компании, является минимальной из возможных пропорций. Ожидается, что уменьшение размеров будет стимулировать снижение цен на устройства FeRAM.
FeRAM – не разрушаемая при отключении питания RAM, совмещающая скорость DRAM и SRAM с возможностью флэш-памяти, позволяющей сохранять данные при отключении питания. FeRAM характеризуется низким уровнем потребления энергии, и может применяться в интегральных схемах и мобильных устройств. Шаг в сторону практических приложений обусловлен расширенным объемом памяти и беспрецедентными факторами производства.
Toshiba и Infineon разрабатывали FeRAM с начала 2001 г. Работы проводились в Иокогаме (Япония).
Источник: по материалам сайта DigiTimes.
Короткая ссылка
