|
Поделиться
Поделиться
Infineon начала производство 256-мегабитной DRAM по 0,14-мкм технологии
18 октября германская компания Infineon Technologies объявила о начале серийного производства чипов памяти по 0,14-микронной технологии DRAM объемом 256 Мбит SDRAM. Кроме того, компания уже передала своим стратегическим партнерам опытные образцы DRAM-памяти на 512 Мбит, произведенной по новой технологии.Новый производственный процесс еще в сентябре был запущен на заводе Infineon в Дрездене. Переход на новую технологию на фабриках компании в Ричмонде, штат Вирджиния, и на совместном предприятии с ProMOS Technologies на Тайване, находится на завершающей стадии.
На данный момент заводы Infineon используют в производстве 200-миллиметровые подложки, но в дальнейшем производство перейдет подложки в 300 мм, что вместе с 0,14-мкм техпроцессом позволит, по расчетам специалистов, снизить себестоимость готовой продукции на 30%.
В апреле 1999 года компания Siemens Semiconductors стала называться Infineon Technologies. Это восьмой в мире и второй в Европе по величине производитель полупроводников (в 1998 - десятый) и одна из самых быстрорастущих компаний в своем секторе за последние 5 лет. Штаб-квартира Infineon Technologies AG находится в Мюнхене, Германия.
Короткая ссылка
