«Ангстрем» представил отечественную линейку изделий силовой электроники

Интеграция Внедрения Электроника
мобильная версия
, Текст: Владимир Бахур

«Ангстрем» в рамках выставки «Силовая электроника-2016» представил расширенный ряд силовых IGBT- и FRD-модулей, а также силовых IGBT/MOSFET-транзисторов, которые полностью производятся в России. Как рассказали CNews в компании, новая линейка включает более 300 наименований модулей и транзисторов, наиболее востребованных в жилищно-коммунальном хозяйстве, строительстве и общественном транспорте.

Основными потребителями силовых модулей на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)  и быстровосстанавливающихся диодов (FRD) являются производители общественного транспорта на электрической тяге, а также компании, эксплуатирующие его. Большое количество IGBT-модулей используется в сфере ЖКХ (лифтовое оборудование, системы водо- и теплоснабжения) и энергетике. 

Специалисты «Ангстрема» два года назад разработали программу замены импортных кристаллов для производства силовых модулей и транзисторов. На первом этапе были разработаны и налажен серийный выпуск кристаллов, а на следующем запущен выпуск полностью отечественных модулей. Отличительной особенностью ангстремовских модулей от зарубежных аналогов является повышенная устойчивость IGBT-кристаллов к короткому замыканию, а также «мягкие» характеристики переключения комплектных FRD-диодов, что обеспечивает повышенную надежность этих модулей.

«Мы с гордостью можем сообщить, что наша компанию первая на рынке выпустила настоящий коммерческий продукт, не уступающий мировым аналогам, как по характеристикам, так и по цене, – сказал Евгений Кузьмин, директор департамента аналоговых продуктов. - Отдельно стоит отметить, что это по-настоящему российский продукт, который на 100% произведён в России от кристального производства до сборки в корпус».

Приступая к проектированию, разработчики ориентировались на самые массовые в применении силовые IGBT-модули. В настоящее время уже доступна для заказа широкая линейка модулей в диапазоне напряжений от 600 В до 1700 В и максимальных токов от 75А до 600А, имеющих различные конфигурации: полумост, чоппер, одиночный ключ.

В настоящее время потребителям доступны модули в наиболее распространённых корпусах 34 и 62 мм: MPP-34, MPP-62, MPP-62-2. Все корпуса выполнены по международным стандартам, применяемым при проектировании силовых модулей.

В 2017 г. ожидается постановка на конвейер новых технологических процессов для MOSFET и IGBT кристаллов, запуск в массовое производство высоковольтных IGBT кристаллов и модулей.

«Новые тех. процессы позволят нам выпускать продукты последних поколений и быть конкурентными на глобальном рынке и не уступать мировым лидерам, – отметил Андрей Абрамов, зам. генерального директора по стратегическому развитию и маркетингу. – Эти продукты смогут перекрыть потребности не только Российского рынка, но и будут востребованы на мировом рынке и смогут конкурировать с более именитыми компаниями».