11 Апреля 2006 12:04 11 Апр 2006 12:04 |

Поделиться

Память прорывается в третье измерение

Компания BeSang разрабатывает ядро памяти и ее структурную архитектуру для реализации 3D-чипа. Сам чип будет представлять собой интегрированную кремниевую микросхему, на которой будут последовательно наращиваться слои чипа, сообщает EETimes. У компании уже есть успешные разработки в области архитектуры наноустройств. «Наша инновация состоит в новой технологии „плавающей памяти“, позволяющей производить доступ к „ядру“ памяти с очень высокой плотностью записи данных», — говорит Кеннет Ли, бизнес-директор компании.

Пока все разработанные на сегодняшний день трехмерные чипы памяти характеризуются низкой плотностью данных и средним быстродействием. Как правило, их применение не выходит за пределы области мобильной электроники.

Еще одно преимущество архитектуры 3D-чипа от BeSang — ее многослойность. Причем логических взаимосвязей между слоями может быть практически любое количество — соответственно, память можно наращивать «вверх» практически неограниченно, что, естественно, существенно увеличивает количество информации, которую можно хранить на чипе.

На международном симпозиуме в области нанотехнологий, который состоялся 25 марта 2005 года, Стэн Уильямс, глава отдела НР в области квантовых исследований, отметил, что трехмерная архитектура будет одним из основных направлений квантовой наноэлектроники. «Мы уверены, что благодаря новому подходу в области микроэлектроники и нанотехнологиям технологии производства компьютерных чипов переместятся ниже по размерной шкале — до отдельных молекул. Это позволит отказаться от традиционной кремниевой микроэлектроники и начать освоение молекулярной наноэлектроники, — сказал г-н Уильямс. — Переход к молекулярной электронике состоится благодаря развитию трех направлений: фундаментальных исследований в области квантовой физики в наноразмерном диапазоне, построению архитектуры чипов нового типа, позволяющей более эффективно использовать возможности наноэлектроники, и, конечно, методам дешевого массового производства наноэлектронных компонентов».

Такие заявления и прогнозы компании HP связаны с новой архитектурой построения компьютеров. Она основана на новых молекулярных ключах, представляющих собой пересекающиеся линии, между которыми при подаче на них напряжения возникают проводящие мостики. Преимущество нового ключа состоит в том, что благодаря конструкции устройства емкость памяти на его основе будет выше той, которая существует сейчас. Если же использовать каждый ключ в качестве элемента памяти, то емкость одного слоя составит 2,5 Гб на квадратный сантиметр, в то время как лучшие из существующих чипов памяти характеризуются емкостью в 1 Гб на квадратный сантиметр.

Как утверждают специалисты компании, «узловая» архитектура, сформированная пересекающимися нанопроводниками, позволит упростить массовое производство чипов. Как ни странно, новые чипы будут дешевле обычных кремниевых благодаря большим объемам производства.

В недалеком будущем эти две архитектуры могут быть совмещены для создания не только 3D-чипов памяти, но и процессоров и других наноэлектронных устройств.

Для начала компания планирует создать основной структурный логический элемент чипа, состоящий из слоев SOI-структур, соединенных между собой проводниками. Организовать серийное производство таких чипов достаточно просто — эта технология используется в микроэлектронике уже давно.

Поделиться

Подписаться на новости Короткая ссылка