24 Июня 2004 15:06 24 Июн 2004 15:06 |

Поделиться

Магнитная память ускорит загрузку мобильных ПК

Начало разработок MRAM было положено в конце 80-х годов, когда было обнаружено явление «гигантской магниторезистивности» в тонких пленках. MRAM-память отличается высоким быстродействием — запись первых битов происходит приблизительно в миллион раз быстрее, чем в микросхемах флэш-памяти. Разница во временах считывания информации менее разительная, но тоже существенная — в три раза быстрее, чем у модулей флэш-памяти NOR-типа, и в 1000 раз быстрее, чем у флэш-памяти NAND-типа.

Еще одно важное отличие — по сравнению с NAND-технологией, MRAM потребляет значительно меньше энергии для записи и считывания. Размер самой ячейки памяти — 1,42 квадратных микрона, устройство создано с помощью технологического процесса на основе 0,18-микронной логики. Микросхема памяти разделена на два блока по 8 Мбит, каждый из которых, в свою очередь, разделен на 64 блока по 128 Кбит — эти блоки уже являются единой сборкой, для производства которой использовалась так называемая технология 1T1MTJ (один транзистор — один магнитный туннельный переход).

Александр Бабкин, Газпромбанк: Сейчас иностранные ИБ-решения в Газпромбанке замещены на 65%

безопасность

Поделиться

Подписаться на новости Короткая ссылка