Winbond Electronics и Toshiba создали альянс для совместной разработки технологии производства нового поколения микросхем DRAM

Компании Winbond Electronics Corp. и Toshiba Corp. сообщили о своём объединении. Целью альянса является совместная разработка 0,13-микронной технологии производства DRAM. Новая технология позволит производить 512 Мбит микросхемы, используя при этом 12-дюймовые кремниевые пластины. Эта технология, по мнению компаний, должна вытеснить привычную 0,18 микронную технологию с использованием 8-дюймовых пластин. Внедрение новой технологии планируется на конец следующего года.