Поделиться
Трехмерные транзисторы с тройным затвором заменят традиционные устройства
Исследователи корпорации Intel разработали трехмерную конструкцию транзистора с тройным затвором, которая обеспечивает более эффективный расход энергии по сравнению с традиционными планарными (плоскими) транзисторами, выпускающимися с 60-х годов прошлого века. Эта разработка знаменует собой начало новой эры неплоских трехмерных конструкций транзисторов, которые Intel и другие представители полупроводниковой индустрии должны принять на вооружение для поддержания темпов развития согласно закону Мура по окончании текущего десятилетия.В основе транзистора корпорации Intel с тройным затвором лежит новаторская трехмерная структура, похожая на приподнятую горизонтальную плоскость с вертикальными стенками. Эта структура позволяет посылать электрические сигналы как по "крыше" транзистора, так по обеим его "стенам". За счет этого эффективно увеличивается площадь, доступная для прохождения электрических сигналов, - это похоже на расхождение однополосной дороги в широкое трехполосное шоссе, только в случае с транзистором не требуется дополнительного свободного места. Транзистор с тройным затвором в миллимикронных геометрических конструкциях работает не только более эффективно, но и быстрее, проводя на 20% больше тока выборки по сравнению с традиционной планарной конструкцией с аналогичным размером затвора.
Структура тройного затвора - многообещающая разработка для дальнейшего развития архитектуры терагерцового транзистора, которую корпорация Intel представила в декабре 2001 года. Тройной затвор строится на ультратонком слое полностью обедненного кремния, что обеспечивает снижение утечки тока. Это позволяет транзистору быстрее включаться и выключаться при значительном снижении энергопотребления. Особенностью этой конструкции также являются поднятые исток и сток - в результате снижается сопротивление, что позволяет транзистору работать от тока меньшей мощности.
"Наши исследования показали, что по преодолении рубежа в 30 нм физическая основа плоских планарных транзисторов с одинарным затвором начинает давать утечку слишком большого количества энергии, что не позволит нам достичь наших будущих целей в отношении производительности, - говорит доктор Джеральд Марчик (Gerald Marcyk), директор лаборатории изучения компонентов Intel. - Конструкция транзистора с тройным затвором позволит Intel создавать сверхмалые транзисторы, которые обеспечат еще более высокую производительность при низком энергопотреблении и сделают возможным дальнейшее практическое воплощение закона Мура".
Источник: собственная информация CNews.ru.
Короткая ссылка
