Поделиться
NEC создала новую eDRAM-память
Компания NEC сообщила о создании новой 0,13-мкм DRAM-технологии, использующей металл на всех стадиях процесса. Новая память может работать на скоростях до 450 МГц и использует питание 1,2 В.Сейчас NEC ведет тестирование созданного по такой технологии 16-Мбитного чипа.
За исключением изоляционной пленки, все материалы, используемые в процессе производства, металлические. Это позволит создавать микросхемы, которые могут заменить SRAM в коммуникационных и серверных приложениях.
Первый образец появится в январе, а массовое производство намечено на лето 2002 года. Новая технология принципиально лучше используемого сейчас NEC 0,15-мкм процесса создания eDRAM.
Размер ячейки в такой микросхеме равен 0,331 кв. мкм вместо прежних 0.422 кв. мкм, новый техпроцесс позволяет уменьшить размер схем на 10%, снижая при этом сопротивление в разрядных линиях схемы. При запуске в массовое производство размер ячейки будет увеличен до 0,35 кв. мкм.
Ранее в этом году NEC сообщала об альянсе с Atmos для использования встраиваемой DRAM-памяти в таких устройствах, как сетевые процессоры и др.
Японская корпорация NEC со штаб-квартирой в Токио обладает капиталом в 244 717 млн. иен ($1,959 млрд.). Основная сфера деятельности - бизнес, связанный с интернет-решениями, включая производство и продажу ПК, телекоммуникационного оборудования, электроники и ПО. Корпорация владеет 5 заводами в районе Токио, 55 - в Японии и 52 - в 21 стране мира.
Короткая ссылка
