Infineon создала 65-нанометровый чип для мобильников

Infineon Technologies анонсировала выпуск первого чипа для сотового телефона, построенного на базе 65-нанометровой CMOS-технологии. Чип прошел тестирование в Дуйсбурге, Мюнхене и Бангалуре в сетях GSM. Как утверждают разработчики, все прошло без сбоев.

Новая технология обеспечивает высокую производительность при низком энергопотреблении.

Первые продукты, созданные с ее применением, как ожидается, будут продаваться в массовом порядке с конца 2006 года.

В чипе использованы 30 млн. транзисторов, они занимают место 33 кв. мм.  Infineon разработала схему в сотрудничестве с IBM, Chartered и Samsung.