Поделиться
IBM изобрел самый маленький кремниевый транзистор по технологии SOI
Действующий образец транзистора, который, согласно заявлениям IBM, в 10 раз меньше любого из производимых сегодня, будет демонстрироваться сегодня на электронной конференции в Сан-Франциско. IBM сообщает, что транзистор имеет длину 6 нанометров, при этом он полностью функционален.IBM также сообщил, что дальнейшая работа будет вестись для достижения более высокой производительности и лучшего управления распределением мощности и тепловой энергии. Нанометр - это одна миллиардная доля метра, и по сообщениям IBM, Консорциум международных полупроводниковых компаний (Consortium of International Semiconductor Companies - CISC) установил, что транзисторы должны быть в 2016 раз меньше 9 нм, чтобы обеспечивать имеющуюся тенденцию увеличения производительности полупроводников.
Компания сообщила, что такой размер транзистора позволит изготавливать устройства, содержащие в 100 раз больше транзисторов, чем в настоящее время. Сокращение длины затвора транзистора влечет за собой увеличение производительности и снижение себестоимости.
Транзистор IBM уменьшает толщину слоя кремния на подложках типа "кремний-на-изоляторе" (silicon-on-insulator), которые он использует, при этом тело транзистора составляет только от 4 до 8 нм в толщину.
Крупное достижение было сделано за счет использования имплантантов по окружности и литографического процесса с длиной волны 248 нанометров.
Фирма представит дополнительные подробности на конференции International Electron Devices Meeting (IEDM), которая начинается сегодня.
Источник: по материалам сайта The Inquirer.
Короткая ссылка
