Поделиться
Hitachi будет производить скоростную флэш-память на основе многоуровневых ячеек
Компания Hitachi после нескольких месяцев шлифовки изобретенной ею многоуровневой структуры ячейки флэш-памяти, объявила о намерении создать на ее основе гигабитный чип, скорость записи в который составит 10 Мбайт/с.Впервые компания рассказала об архитектуре assist-gate-AND в декабре на вашингтонской встрече International Electron Devices Meeting. Использование вспомогательных переходов, которые предотвращают помехи между ячейками, позволяет отказаться от узких полос оксидной изоляции. Увеличение скорости достигнуто за счет изменения методологии программирования. Вместо метода туннельного эффекта Фоулера-Нордхайма компания решила использовать инжекцию горячего электрона, аналогично той, которая задействована в устройствах флэш-памяти NOR-типа.
По мнению разработчиков, новая флэш-память будет популярной среди производителей высококлассных цифровых камер, мобильных телефонов, КПК и индустриальных накопителей данных. К примеру, запись 128 Мб музыки для MP3-плеера займет всего 13 секунд, а сохранение больших мультимедийных файлов из эфира на мобильном телефоне 3-го поколения не будет мешать скорости приема.
Новая архитектура позволила увеличить емкость многоуровневых ячеек, что снизит себестоимость производства без уменьшения скорости доступа, которая в новом чипе будет превышать стандартный показатель флэш-чипов NAND.
Гигабитный чип Hitachi, HN29V1G91, имеет такой же корпус, как 512 МБитный чип - 48-пиновый TSOP типа I. Чип совместим по пинам с интерфейсом NAND-памяти.
Источник:
по материалам сайта EE Times.
Короткая ссылка
