Samsung наращивает производство 8 ГБ памяти DRAM HBM2

Электроника
мобильная версия
, Текст: Владимир Бахур

Samsung Electronics объявила об увеличении объемов производства 8-гигабайтной (ГБ) памяти High Bandwidth Memory-2 (HBM2), чтобы удовлетворить растущие запросы рынка в различных сферах применения, включая искусственный интеллект, ВПВ (высокопроизводительные вычисления), современные графические вычисления, сетевые системы и корпоративные серверы.

«Увеличивая производство единственного отраслевого решения 8 ГБ HBM2, которое доступно сейчас на рынке, мы стремимся обеспечить мировых производителей ИТ-систем достаточными компонентами для своевременной разработки новых и модернизированных систем,— сказал Джесу Хан, исполнительный вице-президент подразделения продаж и маркетинга решений памяти, Samsung Electronics. — Мы будем продолжать поставлять усовершенствованные модели на основе HBM2 в тесном сотрудничестве со своими клиентами, которые работают на мировом ИТ-рынке».

Память 8 ГБ HBM2 от Samsung обеспечивает максимальный уровень производительности, надежности и энергоэффективности. Помимо технологий HBM2 и TSV (Through Silicon Via), которые были использованы в этом новейшем решении DRAM, более 850 технологий уже запатентованы или на них уже поданы патентные заявки.

Память 8 ГБ HBM2 состоит из восьми 8-гигабитных (Гб) кристаллов HBM2 и буферного кристалла внизу стека, которые вертикально соединены между собой с помощью технологии TSV и микровыступов. Каждый кристалл включает более чем 5000 отверстий TSV, в результате чего один пакет 8 ГБ HBM2 от Samsung имеет более 40 000 отверстий по технологии TSV. Использование такого большого количества отверстий TSV, включая запасные, обеспечивает высокую производительность, так как появляется возможность перенаправлять потоки данных на другие отверстия TSV в случае задержек в передаче данных. Архитектура HBM2 также позволяет избежать нагрева свыше определенной температуры, что обеспечивает высокую надежность.

Технология HBM2, впервые представленная в июне 2016 года, обеспечивает скорость передачи данных 256 ГБ/с, что более чем в восемь раз превосходит показатели чипа DRAM GDDR5 (32 ГБ/с). Имея емкость, которая в два раза превышает емкость памяти 4 ГБ HBM2, решение 8 ГБ значительно повышает производительность и энергоэффективность системы. Благодаря этому такое решение становится идеальным вариантом модернизации для задач с высокопроизводительными вычислениями на основе больших объемов данных, которые требуются для машинного самообучения, параллельных вычислений и обработки графики.

Удовлетворяя растущий рыночный спрос, компания Samsung прогнозирует, что серийное производство памяти 8 ГБ HBM2 позволит покрыть более чем 50% производства HBM2 к первой половине следующего года.