Трехмерные транзисторы на подходе

В сравнении с современными транзисторами, производимыми по 65-нанометровой технологии, новые интегрированные транзисторы с трехмерным затвором могут обеспечить 45-процентное увеличение тока возбуждения (от которого зависит быстрота переключения транзистора) или 50-кратное уменьшение запирающего тока, а также 35-процентное уменьшение тока переключения транзистора. В основе транзистора Intel с тройным затвором лежит трехмерная структура, похожая на приподнятую горизонтальную плоскость с вертикальными стенками. За счет этого эффективно увеличивается площадь, доступная для прохождения электрических сигналов. Значительно меньшая утечка тока и более экономичное потребление энергии, по сравнению с нынешними планарными транзисторами, позволяют вендору рассчитывать на то, что транзисторы с трехмерным затвором составят основу грядущих технологий Intel.

Кроме того, в Intel разработана методика, позволяющая объединить новые трехмерные транзисторы с другими полупроводниковыми технологиями. «Успешно объединив три ключевых элемента — трехмерную геометрию затвора транзистора, диэлектрики „high-k“ и технологию напряженного кремния, — мы в очередной раз разработали транзистор с рекордными характеристиками, — заявил Майк Мэйберри, вице-президент корпорации Intel и руководитель подразделения, занимающегося исследованиями компонентов. — Это вселяет в нас уверенность в то, что закон Мура не утратит силу и в следующем десятилетии».

Показать фото

Минцифры запустит реестр доверенного ПО до конца года. Отбирать софт будут структура «Росатома» и еще 4 неизвестные организации

Напомним, что базовыми элементами микросхем долгое время были планарные транзисторы, которые появились в конце 1950-х годов. Однако по мере развития нанотехнологий, позволяющих создавать транзисторы с элементами, толщина которых составляет всего несколько атомов, то, что раньше воспринималось как «плоское», теперь разрабатывается в трех измерениях для дальнейшего улучшения производительности и энергопотребления микросхем.

Свои разработки по созданию транзисторов с трехмерным затвором Intel представил в 2002 году. Первый трехмерный транзистор проводил на 20% больше тока выборки по сравнению с традиционной планарной конструкцией и аналогичным размером затвора.