Поделиться
AMD открыла новые возможности своих процессоров
Корпорация AMD сообщила, что в выполненных по 90-нанометровой технологии процессорах, готовящихся к поставкам в ближайшие несколько месяцев, будет использоваться технология «напряженного кремния» (strained silicon). Таким образом, подтвердилось соответствующее заявление компании, сделанное в апреле текущего года. AMD, позже конкурентов вышедшая на 90-нанометровый технологический процесс, последовала в этом направлении за Intel и IBM. Как сообщил ряд американских изданий, технология «напряженного кремния» уже используется при производстве всех 90-нанометровых чипов AMD. Кроме того, со ссылкой на представителя AMD объявлено, что компания планирует уже в течение текущего квартала интегрировать «напряженный кремний» и в производство микросхем по 130-нанометровой технологии.
Технология «напряженного кремния» подразумевает использование при производстве процессорных подложек
AMD не раскрывает деталей, касающихся использования «напряженного кремния», однако представитель компании сообщил, что используемая технология отлична от применяемых у конкурентов. И Intel, и IBM уже используют технологию «напряженного кремния» для производства 90-нанометровых чипов. Обе компании используют
С целью внедрения технологии «напряженного кремния» разработчики AMD сотрудничали с компанией AmberWave, однако в последнее время это сотрудничество сошло на нет. «Напряженность» кремния могла стать и побочным эффектом внесения конструктивных изменений в структуру процессора, однако представители AMD настаивают на том, что компания преднамеренно работала над использованием дополнительного слоя.
Как сообщил CNews.ru Сергей Мелехов, инженер по внедрению продукции российского представительства AMD, пока технология «напряженного кремния» проходит этап оценки целесообразности её использования в промышленном производстве, коммерческие поставки соответствующих чипов не начаты.
В данный момент все ведущие разработчики процессоров работают над новым вариантом усовершенствования чипов: заменой кремния, находящегося в контролирующем поток электронов транзисторном
Короткая ссылка
