Поделиться
Toshiba приступила к производству 43-нм флэш-памяти
Компания Toshiba приступила к изготовлению микросхем NAND-памяти с использованием 43-нм технологического процесса, передает Tech On!
Всего производитель предлагает 16 различных продуктов, выполненных с использованием нового техпроцесса, емкостью от 64 МБ до 8 ГБ. Модули памяти емкостью 4 и 8 ГБ состоят из нескольких микросхем емкостью по 2 ГБ каждая, изготовленных на 43-нм техпроцессе. Вышеуказанные продукты обладают самой высокой плотностью записи данных в объеме, доступной на рынке в настоящий момент времени, пишет источник.
Микросхемы изготовлены по типу SLC, то есть с одноуровневой структурой ячеек, и рассчитаны на большое число циклов чтения и записи. Назначение новых продуктов самое разнообразное: внутренняя память сотовых телефонов, системы хранения данных и т.д. Новая память Toshiba создана специально для тех областей применения, где предъявляются повышенные требования к скорости работы и надежности.
Микросхемы флэш-памяти Toshiba, сделанные на 43-нм техпроцессе
Новые микросхемы памяти появятся в коммерческих продуктах в I квартале 2009 г.
Короткая ссылка
