Поделиться
Samsung выпустит память DDR 400 в четвертом квартале, а DDR-II 666 в следующем году
Планы по выпуску памяти Samsung указывают на то, что компания сможет выпустить DDR 400 в четвертом квартале этого года.Тем временем она увеличивает объем производства памяти DDR 333.
Первые модули, которые произведет Samsung - это чипы 128 Мб и напряжением питания 2,5 В. Как указывают планы, компания перейдет на чипы 256 Мб в первом квартале 2003 г. Чипы памяти DDR 333 в модулях по 1 Гб не должны выйти ранее конца следующего года.
Samsung уже поставляет образцы DDR-II в 512 Мб модулях, но в четвертом квартале этого года она выпустит память 667/533/400 DDR-II с напряжением питания 1,8 В. В третьем квартале следующего года она введет новый тип пластин "E", для модулей 256 Мб по 4, 8 и 16 чипов.
Выпускаемый в следующем году процессор Intel Prescott будет использовать системную шину 666/7.
Samsung заявила весной на Intel Developer Forum, что также продвигает и типы памяти RDRAM (Rambus). Последние планы по выпуску показывают, что она выпустит 128 Мб, 256 Мб, 576 Мб и 288 Мб модули RDRAM в течение 2003 г., применяя во всех модулях техпроцесс 0,13 мкм.
Компания планирует представить 221/166 МГц память SDR для графических плат в следующем году, используя другой тип пластин "G".
В следующем году она также представит 800/400 GDDR SDRAM, работающую на 2,5 В, и во второй половине года GDDR-II SDRAM, работающую на скорости 1400/666 Mб/с, в модулях по 256 Мб.
Компания также представит память Network DRAM I и II - совместимый с памятью Toshiba Network FCRAM тип памяти. Она также будет работать на скоростях 666/533/400 Мб/с, со временем доступа от 20 до 25 наносекунд, и будет запущена в производство в первом квартале следующего года.
Источник:
по материалам сайта The Inquirer.
Короткая ссылка
