|
Поделиться
Поделиться
Samsung разработал компактный модуль памяти DIMM
Компания Samsung Electronics сообщила о разработке первого модуля памяти DIMM на основе сквозь кремниевой технологии (Throught Silicon Via TSV), благодаря которой удалось уменьшить размер модуля, повысить быстродействие и снизить энергопотребление памяти в целом.
Новый модуль состоит из двухгигабитных контейнеров памяти DRAM. Общая емкость платы составляет 4 ГБ. Каждый контейнер DRAM, в свою очередь, состоит из четырех чипов памяти емкостью 512 мегабит, уложенных вместе и представляющих собой единый блок под названием WSP (
В плате для передачи электрических импульсов используются крошечные отверстия в кремнии, высверленные лазером и заполненные медью. В то время как на традиционных платах памяти используются широкие металлические дорожки, что заставляет изготавливать модули с большими размерами.
Модуль памяти Samsung DIMM на основе TSV
Короткая ссылка
