Philips разработала самую компактную флэш-память

Компания Philips Semiconductors анонсировала встроенный вариант флэш-памяти для CMOS, создаваемых по 0,18-микронной технологии, который, по заявлению самой компании, является самым компактным вариантом встроенной флэш-памяти. CMOS18-FFLV(fast-flash, low-voltage) вариант предназначен для удовлетворения спроса на энергонезависимое хранение данных в таких устройствах, как смарт-карты, сетевое оборудование и телекоммуникационные устройства.

Компания пока не сообщила точных размеров ячейки памяти. По словам официальных представителей, плотность записи, близкая к 1 Мб/кв², при меньшем потреблении энергии была достигнута за счет использования туннеля Фоулера-Нордхейма для стирания данных так же, как и для программирования.

Андрей Бурилов, ИТ-директор Мосбиржи: Финансовые операции станут частью кода цифровизация

CMOS18-FFLV работает в диапазоне напряжения 1,2-2,0 В. EEPROM-версия памяти с однобайтовым стиранием и перепрограммированием находится сейчас в разработке. Также Philips разрабатывает шинный интерфейс для ARM-систем под CMOS18-FFLV для упрощения соединения с процессорным ядром во встроенных приложениях. Кроме того, компания разработала специальное ПО для возможности тестирования, внутрисистемного программирования и линию продуктов для программирования памяти через JTAC - интерфейс.

Источник:
по материалам сайта:Semiconductor Business News.