Infineon намерена ускорить переход на производство более емких чипов DRAM
Именно поэтому, руководство компании приняло решение ускорить перевод производственных мощностей на выпуск 128- и 256-мегатибных чипов DRAM. Infineon намерена в ближайшее время ввести новый 0,14 мкм техпроцесс для производства памяти DRAM на замену нынешней 0,17 мкм технологии, а также перевести свои основные производственные мощности в Дрездене на производство 300 мм кремниевых пластин.
К концу текущего финансового года, который заканчивается у Infineon 30 сентября 2001 года, компания перенесет основной объем производства чипов DRAM - до 50% - на 128-мегабитные чипы.



