Разделы

Телеком

Agilent откроет новую линию производства GaAs-полупроводников по технологии E-pHEMT

Компания Agilent Technologies Inc. намерена открыть новую линию по производству 6-дюймовых GaAs-полупроводников на своем заводе в Форт-Коллинсе в штате Колорадо, сообщает Electronic News. Новая линия будет использовать технологию E-pHEMT (enhancement-mode pseudomorphic high-electron-mobility transistor). E-pHEMT имеет значительные преимущества по сравнению с обычными GaAs-технологиями. Для изделий с E-pHEMT достаточно для питания только положительного напряжения, в то время как GaAs-полупроводникам необходимо положительное напряжение для работы и отрицательное для включения устройства, что, естественно, требует дополнительных элементов и места в конструкции. Изделия, полученные по технологии E-pHEMT, будут использованы в мобильной связи стандарта CDMA, GSM. Использование новых продуктов в усилителях мощности для мобильных CDMA-телефонов позволит увеличить на 15% время работы аккумуляторов или же сократить их размеры, тем самым могут быть уменьшены и общие размеры мобильных телефонов.
Как с помощью ad-hoc инструмента снизить расходы на внедрение аналитики
Импортонезависимость