Поделиться
Samsung увеличивает емкость флэш-памяти в четыре раза
Крупнейший в мире производитель чипов памяти компания Samsung Electronics представила первый в мире 64-гигабитный NAND-чип, изготовленный по 30-нм технологическому процессу. Емкость чипа вчетверо больше емкости тех микросхем, которые выпускаются сегодня, сообщает TG Daily.
Разработка основана на технологии MLC (Multi-Level Cell), когда данные хранятся в многоуровневых ячейках. Новый чип объемом 8 ГБ позволит создавать карты форматов SD или CF-II емкостью 128 ГБ (комбинация из 16 чипов) или 1,8-дюймовые SSD-накопители емкостью 512 ГБ, состоящие из 64 чипов. Стоит отметить, что 128 ГБ эквивалентно около 32 тыс. музыкальным трекам или около 80 фильмам в DVD-качестве.
Подложка с 30-нм чипами флэш-памяти Samsung
Начало массового производства 64-гигабитных чипов NAND Samsung ожидается в 2009 г.
64-гигабитные чипы в упаковке
В прошлом году компания анонсировала 32-гигабитные NAND-чипы, изготовленные по 50-нм техпроцессу. На сегодняшний день большая часть чипов Samsung изготавливается на базе 40-нм элементов.
Короткая ссылка
